[实用新型]一种平面等离子发生器

说明书

技术领域

本实用新型属于平面等离子发生器技术领域，尤其涉及的是一种平面等离子发生器。

背景技术

现有技术中的平面等离子发生器广泛应用于车灯镀膜、装饰镀膜、光学镀膜的镀膜机一般在镀介质膜时采用中频电源镀膜。缺点产生的等离子体密度较低，离子密度相对较低，对于靠反应镀膜的应用，不利于真空室内离子反应的发生。为提高真空室内离子密度，可以外加由射频驱动的等离子发生器产生密度相对较高的等离子体。由于镀膜工件一般处于真空室中间，需要的等离子体最好只在发生器正面，背面由于只有腔体内壁，没有工件，不希望产生等离子体。要求平面等离子体最好只在发生器的正面产生。背面不产生等离子，即等离子发生器具有单向性。因此需要产生的等离子体最好满足：等离子体面积大，密度高，单向放电特性、相对均匀。

市面上应用的等离子发生器主要采用容性耦合方式和电感耦合方式，容性耦合方式为极板在真空里，缺点是等离子体密度较低，并且极板前后均放电，在大面积等离子体应用中一般只需要极板单面放电，双面放电造成极板浪费射频能量。

平面电感耦合等离子体一般放在真空外部，通过绝缘材料做成的窗口耦合到真空内部产生等离子体。缺点：由于绝缘窗口的面积不能做大，只能产生小面积高密度等离子体，造成等离子体主要集中于绝缘窗口附件。不能产生大面积、平面均匀等离子体。由于电极裸露在真空室外部，会造成射频辐射和对其它电极的干扰，需要额外的屏蔽腔。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种平面等离子发生器。

本实用新型的技术方案如下：

一种平面等离子发生器，包括工作架，其中，还包括真空室、电感线圈、绝缘体、屏蔽筒、真空隔离装置、射频匹配器、射频源及电源地；所述工作架置于所述真空室中，将所述电感线圈设置于所述绝缘体中，同时将所述绝缘体设置于所述真空室中，所述电感线圈通过所述屏蔽筒及所述真空隔离装置与所述真空室外部的所述射频匹配器相连接，所述射频匹配器还设置依次与所述射频源及所述电源地相连接。

所述的平面等离子发生器，其中，所述电感线圈为平面电感耦合线圈，所述平面电感耦合线圈的结构为盘香形、U形或哑铃形，所述平面电感耦合线圈由空心铜管绕制而成，内部通水冷却或通气冷却。

所述的平面等离子发生器，其中，所述绝缘体材料为四氟板、玻璃、石英或陶瓷。

所述的平面等离子发生器，其中，还包括屏蔽板，设置于所述绝缘体的背面，所述屏蔽板的面积大于所述电感线圈的面积并与所述屏蔽筒连接，形成屏蔽电极。

所述的平面等离子发生器，其中，所述屏蔽板的材料为铝板、铜板、不锈钢板。

所述的平面等离子发生器，其中，所述电感线圈及所述绝缘体的背面由所述屏蔽板屏蔽或直接靠着所述真空室内壁。

所述的平面等离子发生器，其中，所述屏蔽筒为铝筒、不锈钢或铜筒，所述屏蔽筒一端与所述屏蔽板相连接，另一端与所述真空室外部的真空隔离装置相连接。

所述的平面等离子发生器，其中，还包括一绝缘平板，所述绝缘平板包围所述屏蔽板。

所述的平面等离子发生器，其中，所述平面电感耦合线圈穿过所述屏蔽筒和所述真空隔离装置，与所述真空室外部的所述射频匹配器相连接，形成射频耦合通路。

采用上述方案，能够产生大面积、高密度、单向放电、相对均匀的等离子体发生器，使等离子体分布均匀、效率高，对基片表面损伤小，适合大面积等离子辅助薄膜沉积、刻蚀、表面清洗以及表面处理。

附图说明

图1为本实用新型平面等离子发生器的结构示意图。

图2为本实用新型中屏蔽筒的结构示意图。

图3为本实用新型中电感线圈一实施例示意图。

图4为本实用新型中电感线圈另一实施例示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。

实施例1