[实用新型]一种晶舟结构有效
| 申请号： | 201420031375.X | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN203690269U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张学良;高海林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶舟结构，其特征在于，所述晶舟结构至少包括：位于底部的两根连接柱，所述连接柱两端分别固定有前挡板及后挡板，所述前挡板与所述后挡板之间设置有多个平行且间隔排列的支撑板，所述支撑板为下宽上窄的无底边的框体结构。
2.根据权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于：所述多个支撑板均匀排布。
3.根据权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于：任意两个相邻的支撑板之间的槽位宽度为0.8mm～1.2mm。
4.根据权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于：所述框体结构为梯形，其下边长度为84mm～86mm，上边长度为18.5mm～19.5mm。
5.根据权利要求4所述的晶舟结构，其特征在于：所述梯形框体结构的框体宽度为7.5mm～8.5mm。
6.根据权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于：所述支撑板的高度为101mm～103mm。
7.根据权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于：所述支撑板在沿厚度W3方向的平面上的投影包括矩形下部以及位于所述矩形下部上的梯形上部。
8.根据权利要求7所述的晶舟结构，其特征在于：所述支撑板的矩形下部厚度为4.8mm～5.2mm。
9.根据权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于：所述连接柱的宽度为12.5mm～13.5mm，高度为7.5mm～8.5mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
