[实用新型]一种高压可控硅驱动电路装置有效
| 申请号： | 201420038421.9 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN203691367U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李青春;闫文金;段海雁 | 申请（专利权）人： | 天津市先导倍尔电气有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 王玉松 |
| 地址： | 300300 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 可控硅 驱动 电路 装置 | ||
1.一种高压可控硅驱动电路装置，其特征在于，包括：
脉冲校验电路，所述脉冲校验电路包括：
光纤收发器；
第一金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET管，第一MOSFET管的漏极与所述光纤收发器的输出端相连，所述第一MOSFET管的源级接地，所述第一MOSFET管的栅极与第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端与第一发光二极管的正向端相连，所述第一发光二极管的反向端与第二电阻的一端相连；
脉冲放大电路，所述脉冲放大电路与所述脉冲校验电路相连，所述脉冲放大电路包括：
瞬态抑制二极管，所述瞬态抑制二极管的正向端与所述第二电阻的另一端相连；
第三电阻，所述第三电阻的一端与所述瞬态抑制二极管的反向端相连；
驱动接口芯片，所述驱动接口芯片的一个管脚与所述第三电阻的另一端相连；
第二MOSFET管，所述第二MOSFET管的栅极与所述第三电阻的一端相连，所第二MOSFET管的源级与第四电阻的一端相连，所述第四电阻的另一端接地，所述第二MOSFET管的漏极与第五电阻的一端相连，所述第五电阻的另一端与第一电容相连，所述第一电容的另一端接电源正极；
可控硅过电压保护电路，所述可控硅过电压保护电路与所述脉冲放大电路相连，所述可控硅过电压保护电路包括：
第一击穿二极管；
第二击穿二极管，所述第二击穿二极管的正向端与所述第一击穿二极管反向端相连。
2.如权利要求1所述的高压可控硅驱动电路装置，其特征在于，所述第二MOSFET管的漏极-源级之间的电压阈值为60V，漏极电流的电流阈值为60A，结温阈值为150摄氏度。
3.如权利要求1所述的高压可控硅驱动电路装置，其特征在于，所述第一击穿二极管和第二击穿二极管的击穿导通时长为3～5微秒。
4.如权利要求1所述的高压可控硅驱动电路装置，其特征在于，所述第一击穿二极管和所述第二击穿二极管的转折电压低于或等于可控硅的额定电压。
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