[实用新型]一种圆片级LED芯片封装结构

权利要求书

1.一种圆片级LED芯片封装结构，包括硅基本体（110）和带有芯片电极（510）、520的LED芯片（500），所述硅基本体（110）的表面设置绝缘层（200），

其特征在于：所述绝缘层（200）的表面设置金属反光膜，所述金属反光膜的表面设置金属凸块Ⅰ（610）、金属凸块Ⅱ（620），所述LED芯片（500）通过金属凸块Ⅰ（610）、金属凸块Ⅱ（620）倒装至金属反光膜的表面，所述金属反光膜不连续，其在芯片电极（510）与芯片电极（520）之间断开，形成金属反光膜Ⅰ（310）、金属反光膜Ⅱ（320）；

还包括围体（710），所述围体（710）设置于LED芯片（500）的外围、并垂直固定于金属反光膜的表面，所述围体（710）高于LED芯片（500）的出光面，围体（710）内填充填充剂（720）；

在所述围体（710）的外围的金属反光膜的表面设置导电电极Ⅰ（410）、导电电极Ⅱ（420），所述芯片电极（510）、金属凸块Ⅰ（610）通过金属反光膜Ⅰ（310）与导电电极Ⅰ（410）实现电气连通，所述芯片电极（520）、金属凸块Ⅱ（620）通过金属反光膜Ⅱ（320）与导电电极Ⅱ（420）实现电气连通。

2.如权利要求1所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述围体（710）的横截面呈圆形、四边形或多边形。

3.如权利要求1所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述围体（710）的内壁与金属反光膜的夹角为α，90°≤α＜180°。

4.如权利要求3所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述围体（710）的内壁与金属反光膜的夹角为α=135°。

5.如权利要求1所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述围体（710）的内壁设置反光膜（711）。

6.如权利要求1所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述金属反光膜的反射率为≥80%，且导电率≥50%。

7.如权利要求1所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：每一所述围体（710）内至少能容纳一个LED芯片（500）。

8.如权利要求1所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述填充剂（720）充满LED芯片（500）与绝缘层（200）之间的空隙。

9.如权利要求1至8中任一项所述的圆片级LED芯片封装结构，其特征在于：所述LED芯片（500）的上方设置透光片（730），所述透光片（730）为平板或平凸透镜，且固定于所述围体（710）的上端面。