[实用新型]一种圆片级LED芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种圆片级LED芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。

背景技术

发光二极管(LED：Light Emitting Diode)是将电转化为光的半导体器件，作为新型固态照明光源已经取得了长足的发展。由于受产品性能、制造成本、及外形尺寸等因数的影响，LED的封装形式也不断演变与丰富，硅基板式封装是近年来出现的LED封装形式，由于硅易于加工、价格便宜，受到了业内关注。

专利200620058968.0公开了一类硅基板式封装结构，请参见图1，其需要制作隔离层Ⅰ22、23与隔离层Ⅱ51、53，并通过P型硅及N型硅掺杂进行绝缘，制造工艺复杂。

专利201080070299.0公开了另一种硅基板式封装结构，请参见图2，其通过硅通孔将焊盘分布到硅基板背面，硅通孔涉及到光刻开口、刻蚀通孔、硅面钝化、金属填充等复杂工艺，制造成本高。

同时对于这两类硅基板式LED封装方法，LED芯片是通过电极或焊球直接倒装在金属层上，因此金属层需要用Cu、Ni等具有可焊性的金属，但是Cu、Ni之类的金属反光性较差，因此会造成较多光损失；而反光性比较好的金属Ag、Al与焊球直接互联，经过长时间工作会产生金属间化合物过渡生长、耗尽，从而引发断路，影响产品长期的可靠性。

另外这两类硅基板式LED封装产品在使用时不方便，特别是对集成多颗芯片的大尺寸硅基板式LED封装产品；前者需要手动焊线连接电源，效率低，失效概率高，后期更换不方便；后者需要用到复杂的自动贴装设备，后期更换也很复杂。

发明内容

本实用新型的目的在于克服当前硅基板式LED封装技术的不足，提供一种结构简洁、制造工艺简单、降低制造成本的圆片级LED芯片封装结构。

本实用新型的目的是这样实现的：

本实用新型一种圆片级LED芯片封装结构，包括硅基本体和带有芯片电极的LED芯片，所述硅基本体的表面设置绝缘层，

所述绝缘层的表面设置金属反光膜，所述金属反光膜的表面设置金属凸块Ⅰ、金属凸块Ⅱ，所述LED芯片通过金属凸块Ⅰ、金属凸块Ⅱ倒装至金属反光膜的表面，所述金属反光膜不连续，其在芯片电极与芯片电极之间断开，形成金属反光膜Ⅰ、金属反光膜Ⅱ；

还包括围体，所述围体设置于LED芯片的外围、并垂直固定于金属反光膜的表面，所述围体高于LED芯片的出光面，围体内填充填充剂；

在所述围体的外围的金属反光膜的表面设置导电电极Ⅰ、导电电极Ⅱ，所述芯片电极、金属凸块Ⅰ通过金属反光膜Ⅰ与导电电极Ⅰ实现电气连通，所述芯片电极、金属凸块Ⅱ通过金属反光膜Ⅱ与导电电极Ⅱ实现电气连通。

可选的，所述围体的横截面呈圆形、四边形或多边形。

可选的，所述围体的内壁与金属反光膜的夹角为α，90°≤α＜180°。

可选的，所述围体的内壁与金属反光膜的夹角为α=135°。

可选的，所述围体的内壁设置反光膜。

可选的，所述金属反光膜的反射率为≥80%，且导电率≥50%。

可选的，每一所述围体内至少能容纳一个LED芯片。

可选的，所述填充剂充满LED芯片与绝缘层之间的空隙。

可选的，所述LED芯片的上方设置透光片，所述透光片为平板或平凸透镜，且固定于所述围体的上端面。

本实用新型的有益效果是：

1、LED芯片坐落在硅基本体的表面的围体内，围体的内层为反射膜，结合一定的倾斜角度，同时利用不连续的金属反光膜实现了光线的反射及出射，并且实现了芯片电极与导电电极的电气连通，简化了封装结构；

2、用于芯片倒装焊接的金属凸块与用于接通电源的导电电极采用相同的工艺同时成型，简化了制造工艺；

3、产品在使用时将金属片压上导电电极就可以接通电源，无需用手工焊线或者自动设备贴装，方便使用和维护、更换。

附图说明

图1为一种现有技术的封装结构示意图。

图2为另一种现有技术的封装结构示意图。

图3为本实用新型圆片级LED芯片封装结构的实施例一的剖面示意图。

图4为本实用新型圆片级LED芯片封装结构的实施例二的剖面示意图。

图5为本实用新型圆片级LED芯片封装结构的实施例三的剖面示意图。

图6为图5的应用示意图。

图中：