[实用新型]发光二极体料带结构有效

专利信息
申请号: 201420058320.8 申请日: 2014-02-08
公开(公告)号: CN203707178U 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 林佑任;李廷玺 申请(专利权)人: 一诠精密电子工业(中国)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48
代理公司: 北京天平专利商标代理有限公司 11239 代理人: 孙刚
地址: 江苏省苏州市昆*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光 二极体 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极体料带结构,其特征在于包含:

一连接框架,

数个承载片,每一该承载片的一端分别连接该连接框架,每一该承载片分别包含数个间隔配置的导电段,且任意二个相邻的该导电段之间藉由一绝缘段相连接;及

数个绝缘框,成形在各该承载片上且相互间隔配置,各该绝缘框分别对应其中一该绝缘段的位置而在所在的该承载片的一表面上围设成一凹穴,各该绝缘段以及该绝缘段所相连的二该导电段露出在相对应的该凹穴内。

2.如权利要求1所述的发光二极体料带结构,其特征在于,各该承载片分别包含数个绝缘段,且各该绝缘段分别被相对应的该绝缘框包围。

3.如权利要求1所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该些绝缘框所构成的该些凹穴具有相同的开口方向。

4.如权利要求2所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该承载片的另一表面上凸出形成有相互间隔配置的数个凸块,且各该凸块分别介于二个相邻的该绝缘框之间。

5.如权利要求1所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该绝缘段以及该绝缘段所相连的二该导电段露出在相对应的该凹穴内的底部。

6.如权利要求1所述的发光二极体料带结构,其特征在于,露出在该凹穴内的其中一该导电段上设有一发光二极体晶粒。

7.如权利要求6所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该发光二极体晶粒与该凹穴内的另一该导电段藉由一导线电性连接。

8.如权利要求7所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该凹穴内填满有一透光结构。

9.如权利要求1所述的发光二极体料带结构,其特征在于,各该绝缘段分别在该承载片的另一表面上沿该承载片的纵向延伸而包覆相邻的至少一该导电段。

10.如权利要求1所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该承载片的另一表面上包覆有一绝缘层。

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