[实用新型]磁控溅射旋转靶有效

专利信息
申请号: 201420062629.4 申请日: 2014-02-11
公开(公告)号: CN203741407U 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 肖世文 申请(专利权)人: 广州市尤特新材料有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谭英强
地址: 510880 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射 旋转
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及磁控溅射领域,特别是一种磁控溅射旋转靶。

背景技术

目前最常用的制备薄膜的方法是真空磁控溅射法。真空磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之间施加几百K的直流电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。

溅射用旋转靶包括圆柱状旋转管,该旋转管的外表面套接固定有靶材。靶材与旋转管通过中间层连接固定,并且导热导电。现在国内靶材行业中间层材料采用的是低熔点金属铟或者铟的合金材料,其特点是熔点低、中间层较厚(0.3-0.5mm)、耐热性较差、容易流动,这样造成两者影响正常使用,严重的会造成脱靶停线。

实用新型内容

为了克服上述技术问题,本实用新型的目的在于提供一种导热、导电性能良好的磁控溅射旋转靶。

本实用新型所采用的技术方案是:

一种磁控溅射旋转靶,包括管状的衬管和固定套接在衬管外壁上并随衬管旋转的靶材,所述衬管和靶材的连接面上设有中间层,所述中间层为导电胶。

作为上述技术方案的进一步改进,所述导电胶的厚度为0.05-0.2mm。

作为上述技术方案的进一步改进,所述导电胶包括银导电胶、铜导电胶或铝导电胶。

作为上述技术方案的进一步改进,所述靶材的材质为合金、陶瓷、石墨或硅。

作为上述技术方案的进一步改进,所述衬管由导体材质制成。

作为上述技术方案的进一步改进,所述衬管与靶材螺纹连接,所述导电胶均布于螺纹连接面上且充满衬管与靶材的螺纹间隙。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的中间层采用导电胶将衬管和靶材绑定连接,由于导电胶的导电导热性非常优良,并且粘合能力很强,其固化后不会产生流动, 可以替代昂贵的铟金属,节省了成本,更有利于提高衬管与靶材的导电导热能力;溅射过程中,溅射功率越大产生的热量越大,在达到铟的熔点后容易脱靶,与铟相比,导电胶的分解温度为铟的一倍以上,即使是较大的溅射功率也不会造成脱靶,使得安全性极大提高。

附图说明

下面结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的第一实施例结构示意图;

图2是本实用新型的第二实施例结构示意图;

图3是图2中A部分的放大示意图。

具体实施方式

如图1至图3所示的磁控溅射旋转靶,包括管状的衬管1和固定套接在衬管1外壁上并随衬管1旋转的靶材2,衬管1和靶材2的连接面上设有中间层,该中间层为导电胶3。

使用本实施例的旋转靶可以极大的提升溅射工作功率。其原因在于现有技术中作为中间层的金属铟熔点低,基于溅射功率大所产生的热量就大的原理,当金属铟达到其熔点后液化,液体状态下部具有粘结性能,且流动性非常好,就意味着容易脱靶,限制了溅射功率的提升;而导电胶的分解温度在300℃以上,是铟或者铟合金熔点的一倍,安全性大大提高,在大功率溅射条件下不会脱靶影响正常工作,大大提高下游生产企业的工作效率。经过检测数据说明,目前铟在≥160℃其剪切强度为零,本实施例在120℃-300℃其剪切强度>200Kg。

铟必须要在其熔点160℃上才能成为液态,才具有焊接性能,对靶材2与衬管1的焊接效率带来一定的影响,而导电胶在常温下是液体,可以直接涂布在靶材2与衬管1的连接面上等待固化,而且只有在其固化温度90-150℃上才固化。

导电胶3的粘合力非常高,因此其厚度无需太厚,仅需要0.05-0.2mm,低于传统铟、铟合金的厚度,节省了材料,节约制造成本。

优选的,导电胶3的厚度为0.05-0.2mm。

优选的,导电胶3包括银导电胶、铜导电胶或铝导电胶。

优选的,靶材2的材质为合金、陶瓷、石墨或硅等导体材料。

优选的,衬管1包含金属材料、合金材料等导体材料。

如图1所示的第一实施例,靶材2直接套接于衬管1外周,连接面上为导电胶3。

如图2和图3所示的第二实施例,衬管1与靶材2螺纹连接,导电胶3均布于螺纹连接面上且充满衬管1与靶材2的螺纹间隙,更有利于提高导电导热性。由于衬管1与靶材2通过螺纹连接后,使得靶材2的安装非常方便,而且当靶材2将要耗竭而无法继续使用时,亦容易从衬管1中分离以回收利用,未使用的靶材2也就能旋入衬管1中使用,使得衬管1可以重复利用,大大节省了材料的损耗,节省了成本。

以上所述只是本实用新型优选的实施方式,其并不构成对本实用新型保护范围的限制。

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