[实用新型]Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备有效
申请号: | 201420066817.4 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN203706671U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 王涛 | 申请(专利权)人: | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand flash 拷贝 电路 设备 | ||
1.一种Nand-flash烧录拷贝电路,其特征在于,包括电源输入端及分别与所述电源输入端连的MCU、源Nand-flash和至少一个目标Nand-flash,所述MCU读取所述源Nand-flash中的数据,并将读取到的数据写入到所述目标Nand-flash中,其中,
所述MCU的数据传输口分别对应连接所述源Nand-flash的数据接口和所述目标Nand-flash的数据接口;
所述MCU的第一启动控制端连接所述源Nand-flash的启动端,所述MCU的第二启动控制端连接所述目标Nand-flash的启动端;
所述MCU的第一使能控制端连接所述源Nand-flash的写使能端和所述目标Nand-flash的写使能端,所述MCU的第二使能控制端连接所述源Nand-flash的读使能端和所述目标Nand-flash的读使能端;
所述MCU的指令锁存使能控制端连接所述源Nand-flash的指令锁存使能端和所述目标Nand-flash的指令锁存使能端;
所述MCU的地址锁存使能控制端连接所述源Nand-flash的地址锁存使能端和所述目标Nand-flash的地址锁存使能端;
所述MCU的就绪/忙控制接口连接所述源Nand-flash的就绪/忙接口和所述目标Nand-flash的就绪/忙接口。
2.根据权利要求1所述的Nand-flash烧录拷贝电路,其特征在于,还包括发光二极管,所述MCU的提示接口端连接所述发光二极管的正极,所述发光二极管的负极经一电阻接地。
3.根据权利要求1所述的Nand-flash烧录拷贝电路,其特征在于,所述MCU为宏晶STC15W4K60S4芯片。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Nand-flash烧录拷贝电路,其特征在于,所述源Nand-flash为多个,所述MCU的第一启动控制端的数量与所述源Nand-flash的数量相同并一一对应,所述MCU的各个第一启动控制端与对应的源Nand-flash的启动端对应连接。
5.一种Nand-flash烧录设备,其特征在于,包括如权利要求1-4中任一项所述的Nand-flash烧录拷贝电路。
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