[实用新型]Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备有效
申请号: | 201420066817.4 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN203706671U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 王涛 | 申请(专利权)人: | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand flash 拷贝 电路 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备。
背景技术
随着数字电视技术在近十几年的发展,数字电视的功能越来越丰富。存储器的容量也随之增大,Nand-flash作为flash内存的一种,在电视机软硬件系统中占据越来越重要的地位,数字电视的操作系统、应用软件、相关参数数据等都以Nand-flash为存储载体。软件工程师编写的代码最后也都要转换成二进制数据固化到Nand-flash上。目前,将程序固化到Nand-flash上可以通过烧录器烧录,也可以采用在线编程器或应用编程器的方式。
但是由于在线编程器和应用编程器方式都需要基于嵌入式系统上实现对Nand-flash的程序烧录,操作复杂、不方便,因此,这种采用在线编程器或应用编程器的方式通常不被数字电视厂商所采纳;而采用烧录器可以直接烧录空的Nand-flash,所以在电视开发调试、生产和维修时,数字电视厂商通常采用的是通过烧录器烧录方式将数据固化到Nand-flash上,然而,由于烧录器的价格高,导致生产、维修和开发调试的成本过高,并且通过烧录器烧录后的Nand-flash还需在相应的工位做频道预置用户数据调整,工序麻烦,生产效率低。
实用新型内容
本实用新型的主要目的为提供一种成本低、体积小、操作方便且生产效率高的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备。
本实用新型提出一种Nand-flash烧录拷贝电路,包括电源输入端及分别与所述电源输入端连的MCU、源Nand-flash和至少一个目标Nand-flash,所述MCU读取所述源Nand-flash中的数据,并将读取到的数据写入到所述目标Nand-flash中,其中,
所述MCU的数据传输口分别对应连接所述源Nand-flash的数据接口和所述目标Nand-flash的数据接口;
所述MCU的第一启动控制端连接所述源Nand-flash的启动端,所述MCU的第二启动控制端连接所述目标Nand-flash的启动端;
所述MCU的第一使能控制端连接所述源Nand-flash的写使能端和所述目标Nand-flash的写使能端,所述MCU的第二使能控制端连接所述源Nand-flash的读使能端和所述目标Nand-flash的读使能端;
所述MCU的指令锁存使能控制端连接所述源Nand-flash的指令锁存使能端和所述目标Nand-flash的指令锁存使能端;
所述MCU的地址锁存使能控制端连接所述源Nand-flash的地址锁存使能端和所述目标Nand-flash的地址锁存使能端;
所述MCU的就绪/忙控制接口连接所述源Nand-flash的就绪/忙接口和所述目标Nand-flash的就绪/忙接口。
优选地,还包括发光二极管,所述MCU的提示接口端连接所述发光二极管的正极,所述发光二极管的负极经一电阻接地。
优选地,所述MCU为宏晶STC15W4K60S4芯片。
优选地,所述源Nand-flash为多个,所述MCU的第一启动控制端的数量与所述源Nand-flash的数量相同并一一对应,所述MCU的各个第一启动控制端与对应的源Nand-flash的启动端对应连接。
本实用新型进一步提出一种Nand-flash烧录设备,包括如上所述的Nand-flash烧录拷贝电路。
本实用新型的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备,电路结构简单、器件少,成本低,降低了数字电视开发调试、生产和维修的成本;并且体积小,操作、携带方便且适用于手持操作。同时,Nand-flash烧录拷贝电路将已烧录好的Nand-flash(也就是源Nand-flash)中的数据完全拷贝到空的Nand-flash(也就是目标Nand-flash)中,频道预置用户数据一起拷贝,省去了做频道预置用户数据调整的工位,减少了Nand-flash的生产工序,降低了成本,提高了生产效率。目标Nand-flash可以为多个,可实现一次性烧录多个目标Nand-flash,更进一步提高了烧录效率。
附图说明
图1是本实用新型Nand-flash烧录拷贝电路较佳实施例的电路结构示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
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