[实用新型]一种用于识别光掩膜待量测图形的结构有效
| 申请号： | 201420072328.X | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN203825357U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 田明静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 识别 光掩膜待量测 图形 结构 | ||
1.一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于，所述用于识别光掩膜待量测图形的结构至少包括：
基板；位于所述基板上表面的图形层；
所述图形层表面刻蚀有与所述基板接触的若干凹槽；所述若干凹槽的分布构成第一矩阵；所述第一矩阵的每行中相邻两个凹槽之间的图形层形成第二矩阵单元；所述第二矩阵单元的分布构成第二矩阵；
与所述连续分布的若干凹槽中首末两个凹槽分别左相邻和右相邻的两个第二矩阵单元上分别具有用于量测的识别标记；
或者与所述连续分布的若干第二矩阵单元中首末两个单元分别左相邻和右相邻的两个第二矩阵单元上分别具有用于量测的识别标记；
所述用于量测的识别标记为刻蚀于所述图形层表面的第二矩阵单元上的若干窗口，所述若干窗口的刻蚀深度小于所述凹槽的深度。
2.根据权利要求1所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述基板的材料包括石英玻璃。
3.根据权利要求1所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述第一、第二矩阵分别为行矩阵，且所述第一矩阵中的槽与所述第二矩阵单元位于同一行。
4.根据权利要求3所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述第一矩阵中的凹槽与所述第二矩阵单元形状都为条形。
5.根据权利要求3或4所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述分别为行矩阵的第一、第二矩阵中，形状为条形的第二矩阵单元上的识别标记有一个或多个。
6.根据权利要求1所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述若干窗口的纵截面形状包括矩形、倒三角形或U型。
7.根据权利要求1所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述若干窗口的横截面形状包括圆形、正方形、矩形或三角形。
8.根据权利要求1所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述若干凹槽的横截面形状为矩形。
9.根据权利要求1所述的用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于：所述图形层的材料为铬。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
