[实用新型]一种用于识别光掩膜待量测图形的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制备领域，特别是涉及一种用于识别光掩膜待量测图形的结构。

背景技术

在半导体制造的整个流程中，其中一个环节是将图形从版图转移到晶圆表面的过程，这期间需要用到光掩膜或称光罩来完成。这一部分是流程衔接的关键部分，也是流程中造价最高的一部分。

在将版图上的图形转移到晶圆的环节需要用到光刻工艺，所谓的光刻工艺是将光罩上的图形通过曝光多次复制到涂有光刻胶的晶圆表面，光刻显影后光罩上的图形出现在晶圆上。版图上需要转移至一片晶圆上的图形有众多，而且随着器件关键尺寸的不断减小，在光刻过程中衍射和干涉现象所形成的光学临近效应成为阻碍光罩上图形有效转移到晶圆上的因素。为了补偿光学临近效应，使得光刻图形转移至晶圆表面不发生失真，关罩设计者利用计算机算法对光罩上小特征尺寸的图形生成光学临近修正（OPC，Optical Proximity Correction），将光学临近修正后获得的版图再制作到光罩上，然后再将光罩上的图形转移至晶圆表面。

而现实中，由于进行光学临近修正之后的版图往往存在大量及其相似的图形，比如形状相同、宽度相差甚小的条形线或者形状相同、大小相差甚小的金属通孔。而这些分布密集且形状和尺寸及其相似的图形在转移至光罩上之后，需要将所述光罩放入扫描电镜下量测其线宽，而这些分布在光罩上的彼此相似的图形很难在量测窗口中对其进行识别，以及很难找到所需要测量的究竟是哪一个或哪几个。

因此，为了辨认在所述光罩上需要量测的是哪些图形，有必要提出一种识别此类图形的标记结构。同时该标记不影响光罩原有图形在晶圆上的成像。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，用于解决现有技术中OPC修正后对形状以及大小相似的某些图形进行量测识别的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，所述用于识别光掩膜待量测图形的结构至少包括：

基板；位于所述基板上表面的图形层；

所述图形层表面刻蚀有与所述基板接触的若干凹槽；所述若干凹槽的分布构成第一矩阵；所述第一矩阵的每行中相邻两个凹槽之间的图形层形成第二矩阵单元；所述第二矩阵单元的分布构成第二矩阵；

当所述第一矩阵任意一行中连续分布的若干凹槽作为待量测结构时，与所述连续分布的若干凹槽中首末两个凹槽分别左相邻和右相邻的两个第二矩阵单元上分别具有用于量测的识别标记；

当所述第二矩阵任意一行中连续分布的若干第二矩阵单元作为待量测结构时，与所述连续分布的若干第二矩阵单元中首末两个单元分别左相邻和右相邻的两个第二矩阵单元上分别具有用于量测的识别标记。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述基板的材料包括石英玻璃。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述用于量测的识别标记为刻蚀于所述图形层表面的第二矩阵单元上的若干窗口，所述若干窗口的刻蚀深度小于所述凹槽的深度。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述第一、第二矩阵分别为行矩阵，且所述第一矩阵中的槽与所述第二矩阵单元位于同一行。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述第一矩阵中的凹槽与所述第二矩阵单元形状都为条形。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述分别为行矩阵的第一、第二矩阵中，形状为条形的第二矩阵单元上的识别标记有一个或多个。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述若干窗口的纵截面形状包括矩形、倒三角形或U型。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述若干窗口的横截面形状包括圆形、正方形、矩形或三角形。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述若干凹槽的横截面形状为矩形。

作为本实用新型的用于识别光掩膜待量测图形的结构的一种优选方案，所述图形层的材料为铬。