[实用新型]阵列基板、显示面板有效
申请号: | 201420073081.3 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN203707132U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 蒋学兵;林琳 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,设置于所述衬底基板上的栅线、数据线以及多个像素单元,每个所述像素单元包括第一氧化物薄膜晶体管和像素电极,其特征在于,每个所述像素单元还包括至少一个与第一氧化物薄膜晶体管串联的第二氧化物薄膜晶体管,所述像素电极与所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极相连,所述第二氧化物薄膜晶体管的源极与所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极相连,所述第一氧化物薄膜晶体管的源极与所述数据线相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具体包括:
设置在所述衬底基板上的所述栅线;
设置在所述栅线上的栅绝缘层和氧化物有源层;
设置在所述栅绝缘层和氧化物有源层上的刻蚀阻挡层;
设置在所述刻蚀阻挡层上方的所述第一氧化物薄膜晶体管的源极和漏极、第二氧化物薄膜晶体管的源极和漏极;
设置在所述源极和漏极上的钝化层;
其中,所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极与所述像素单元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极的所述像素电极相连。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具体包括:
设置在所述衬底基板上的氧化物有源层;
设置在所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层;
设置在所述刻蚀阻挡层上方的所述第一氧化物薄膜晶体管的源极和漏极、第二氧化物薄膜晶体管的源极和漏极;
设置在所述源极和漏极上的栅绝缘层;
设置在所述栅绝缘层上的所述栅线;
设置在所述栅线上的钝化层;
其中,所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极与所述像素单元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极的所述像素电极相连。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板上还设置有公共电极和公共电极线,所述公共电极与所述公共电极线相连。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极和所述像素电极异层设置,处于相对上层的所述像素电极或所述公共电极具有狭缝状结构;处于相对下层的所述像素电极或所述公共电极具有狭缝状结构或板状结构;或
所述公共电极和所述像素电极同层设置,所述像素电极和所述公共电极均具有狭缝状结构。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的