[实用新型]阵列基板、显示面板

说明书

技术领域

本实用新型总体上涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板。

背景技术

薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）漏电路径主要有液晶电容漏电和TFT漏电，前者是由像素电极漏电至公共电极，后者由像素电极漏电至数据线，因此后者的漏电会与数据线上的电压有关。TFT器件本身的漏电流导电机制主要是沟道热离子发射形成的空穴电流，传统的非晶硅产品的漏电流会在光照的条件下剧增加。

铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）是新一代用于TFT有源层的材料，IGZO解决了传统TFT的缺陷：晶体尺寸更小，可以使设备更轻薄，全透明，对可见光不敏感，能够大大增加元件的开口率，提高亮度，降低功耗。此外，电子迁移率方面，其载流子迁移率是非晶硅的5～10倍，临界电压飘移几乎一致，比传统材料提升了20～50倍，因此开态电流特性良好，进步非常明显，在面板的主要性能参数上，IGZO面板比传统TFT面板有了全面的提升。

为了减少氧化物有源层的光接触面积，减小光致漏电流，氧化物TFT一般采用遮光型结构，如图1、图2所示，栅线102位于氧化物有源层104、源极106和漏极107的下方，这样栅线102遮挡住了源极106和漏极107的沟道内形成的氧化物有源层104，从而能够有效降低光照时电子空穴对产生的概率，因此漏电流（关态电流）受光照的影响较小。然而，这种遮光型结构的氧化物TFT，源极106和漏极107直接与氧化物有源层104接触，这样会导致氧化物有源层104内空穴流入源极106和漏极107，以及源极106和漏极107的电子流入有源层104中的几率增大，从而加强“漏极→氧化物TFT有源层→源极”这一漏电路径，不利于保持已存储的电荷，导致面板画质下降。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

针对上述缺陷，本实用新型要解决的技术问题是如何减小在TFT关断时的漏电流。

（二）技术方案

为解决上述问题，一种阵列基板，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的栅线、数据线以及多个像素单元，每个所述像素单元包括第一氧化物薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，每个所述像素单元还包括至少一个与第一氧化物薄膜晶体管串联的第二氧化物薄膜晶体管，所述像素电极与所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极相连，所述第二氧化物薄膜晶体管的源极与所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极相连，所述第一氧化物薄膜晶体管的源极与所述数据线相连。

进一步地，所述阵列基板具体包括：

设置在所述衬底基板上的所述栅线；

设置在所述栅线上的栅绝缘层和氧化物有源层；

设置在所述栅绝缘层和氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；

设置在所述刻蚀阻挡层上方的所述第一氧化物薄膜晶体管的源极和漏极、第二氧化物薄膜晶体管的源极和漏极；

设置在所述源极和漏极上的钝化层；

其中，所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极与所述像素单元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极的所述像素电极相连。

进一步地，所述阵列基板具体包括：

设置在所述衬底基板上的氧化物有源层；

设置在所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；

设置在所述刻蚀阻挡层上方的所述第一氧化物薄膜晶体管的源极和漏极、第二氧化物薄膜晶体管的源极和漏极；

设置在所述源极和漏极上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上的所述栅线；

设置在所述栅线上的钝化层；

其中，所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极与所述像素单元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极的所述像素电极相连。

进一步地，所述阵列基板上还设置有公共电极和公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线相连。

进一步地，所述公共电极和所述像素电极异层设置，处于相对上层的所述像素电极或所述公共电极具有狭缝状结构；处于相对下层的所述像素电极或所述公共电极具有狭缝状结构或板状结构；或

所述公共电极和所述像素电极同层设置，所述像素电极和所述公共电极均具有狭缝状结构。

进一步地，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。

为解决上述问题，本实用新型还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

（三）有益效果