[实用新型]一种定点提取晶圆表面污染物的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，特别是涉及一种定点提取晶圆表面污染物的装置。

背景技术

在半导体工艺过程中，晶圆表面金属污染有可能对后续工艺及机台造成污染，对产品的良率有着重大的影响，因此，发现晶圆表面有金属污染，及时对金属污染进行分析尤为重要。目前对晶圆表面金属污染的分析方法由以下两种：VPD（Vapor Phase Decomposition，气相分解）进行分析和手动收集样品进行分析。

现有工艺中采用手工收集样品进行分析的方法包括以下步骤：

1）将HF/HNO₃溶液11铺满整片晶圆10进行金属溶解（如图1a所示）；

2）经过一段时间后，将整片晶圆10的HF/HNO₃液体11样品聚集在一起（如图1b所示）；

3）使用真空吸笔将样品收集到样品瓶；

4）将装有样品的样品瓶送至测试机台进行测试分析。

而无论是手动收集样品方法还是VPD方法，都是只能收取整片晶圆的样品分析，只能分析整片晶圆总体的污染水平和污染物种类，并不能定点的分析同片晶圆不同区域的污染物水平和污染物种类的不同。因此，如果同一片晶圆多个不同区域都存在有污染物，采用现有技术并不能详细准确地分析出每个区域污染物的水平和污染物的种类。

鉴于此，有必要设计一种新的装置以解决上述技术问题非常必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种定点提取晶圆表面污染物的装置，用于解决现有技术中由于智能收取整片晶圆的样品进行分析，只能分析整片晶圆总体的污染水平和污染物种类，并不能定点的、详细转确地分析出同片晶圆不同区域的污染物水平和污染物种类的不同的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种定点提取晶圆表面污染物的装置，所述定点提取晶圆表面污染物的装置至少包括：

底座，所述底座上设有放置晶圆的收容腔；

盖体，所述盖体上设有若干取样口；

以及连接所述盖体和底座的连接件。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述盖体为圆形，所述盖体的面积大于或等于所述晶圆的面积。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述取样口均匀设置于所述盖体上。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述取样口底部与盖体底部平齐，顶部高于盖体顶部或与盖体顶部平齐。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述取样口的横截面为圆形、三角形或多边形。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述底座为圆形、正方形或矩形。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述收容腔为圆形，所述收容腔的面积大于或等于所述晶圆的面积；所述收容腔的深度d小于或等于所述晶圆的厚度。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述连接件由底座凸起部和位于盖体一侧的凸出部构成，所述底座凸起部靠近盖体的一侧内设有卡槽，所述盖体通过设定在其一侧的凸出部固定在底座凸起部的卡槽内上下滑动。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述底座凸起部的高度h₁大于或等于盖体的厚度d₁和所述晶圆的厚度之和。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述盖体一侧凸出部的高度h₂小于或等于盖体的厚度d₁；所述底座凸起部内卡槽的高度h₃小于或等于底座凸起部的高度h₁。

作为本实用新型的定点提取晶圆表面污染物的装置的一种优选方案，所述盖体一侧凸出部的第一宽度d₂小于或等于底座凸起部卡槽开口的宽度d₃；所述盖体一侧凸出部的第二宽度d₄小于或等于底部凸起部卡槽的宽度d₅，大于或等于底座凸起部卡槽开口的宽度d₃。