[实用新型]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于包括： 

晶体管的漏极区域； 

所述晶体管的源极区域； 

介电层，其具有第一部分和第二部分，其中： 

所述第一部分具有第一厚度且与所述源极区域相比更接近所述漏极区域； 

所述第二部分具有第二厚度且与所述漏极区域相比更接近所述源极区域； 

所述第一厚度比所述第二厚度更大；且 

所述介电层包括所述晶体管的栅极介电质；和 

所述晶体管的栅极电极，其覆盖所述介电层的所述第一部分和所述第二部分。 

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中第一厚度不大于约90nm。 

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述栅极电极在所述介电层的所述第一部分上方具有第一高度且在所述介电层的所述第二部分上方具有第二高度，其中所述第一高度小于所述第二高度。 

4.根据权利要求1-3中任一项所述的电子装置，其特征在于还包括导电电极，其中： 

所述介电层的所述第一部分布置在所述漏极区域与所述导电电极之间； 

所述栅极电极的较低高度低于所述导电电极的最低高度；且 

所述栅极电极的较高高度高于所述导电电极的最高高度。 

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中： 

所述栅极电极具有从所述栅极电极的主体延伸的尾部； 

所述栅极电极的所述尾部覆盖所述介电层的所述第一部分；且 

所述栅极电极的所述主体覆盖所述介电层的所述第二部分。 

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于其中从俯视图的角度而言，所述栅极电极的所述主体布置在所述源极区域与所述栅极电极的所述尾部之间。 

7.根据权利要求5或6所述的电子装置，其特征在于还包括与所述栅极电极的侧部相邻的绝缘材料，其中： 

所述绝缘材料具有为所述栅极电极的最大高度的至少约50％的高度； 

所述栅极电极的所述尾部布置在所述介电层的所述第一部分与所述绝缘材料之间；且 

从俯视图角度而言，所述栅极电极的所述主体基本无任何部分被布置在所述介电层的所述第一部分与所述绝缘材料之间。 

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于还包括布置在所述介电层的所述第一部分与所述绝缘材料之间的氮化物层，其中所述氮化物层与所述栅极电极的所述尾部横向相邻。 

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于还包括： 

埋入导电区域； 

半导体层，其具有主表面和相对表面，其中所述埋入导电区域布置成与所述主表面相比更接近所述相对表面；和 

垂直导电区域，其与所述主表面相邻且通过所述半导体层朝所述埋入导电区域延伸，其中所述垂直导电区域电连接至所述埋入导电区域和所述漏极区域或所述源极区域。 

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述漏极区域和所述介电层的所述第一部分和所述第二部分与所述主表面相邻。