[实用新型]电子装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子装置和其形成工艺，且更特定地说涉及包括具有非均匀厚度的介电层的电子装置和其形成工艺。 

背景技术

绝缘栅极场效应晶体管(IGFET)是可用于功率切换电路的常见晶体管类型。IGFET包括源极区域、漏极区域、在源极区域与漏极区域之间延伸的沟道区域和与沟道区域相邻的栅极结构。栅极结构包括被布置成与沟道区域相邻且由栅极介电层与沟道区域分开的栅极电极。 

操作功率晶体管时，漏极区域可以处于相对大的电压下，且显著电场可存在于晶体管内。通常，栅极介电质具有实质上不均匀的厚度。形成体区域和其它类似区域的掺杂操作可能造成靠近栅极电极的漏极区域的一部分由于植入物扩散而具有比所希望更少的掺杂物。可执行额外植入物操作以增加与沟道区域紧邻的漏极区域的末端的植入物浓度以帮助增加此末端的掺杂浓度。植入物操作可能涉及附加步骤且可能减少产率。希望省略额外植入物且仍达成晶体管的良好电性能。 

实用新型内容

本实用新型的一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。 

本实用新型的一个方面涉及一种电子装置，其包括：晶体管的漏 极区域；晶体管的源极区域；介电层，其具有第一部分和第二部分。其中，第一部分具有第一厚度且与源极区域相比更接近漏极区域；第二部分具有第二厚度且与漏极区域相比更接近源极区域；第一厚度比第二厚度更大；且介电层包括晶体管的栅极介电质。电子装置还包括晶体管的栅极电极，其覆盖介电层的第一部分和第二部分。 

根据本实用新型的一个方面，在电子装置中，第一厚度不大于约90nm。 

根据本实用新型的一个方面，在电子装置中，栅极电极在介电层的第一部分上方具有第一高度且在介电层的第二部分上方具有第二高度，其中第一高度小于第二高度。 

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括导电电极，其中：介电层的第一部分布置在漏极区域与导电电极之间；栅极电极的较低高度低于导电电极的最低高度；且栅极电极的较高高度高于导电电极的最高高度。 

根据本实用新型的一个方面，在电子装置中，栅极电极具有从栅极电极的主体延伸的尾部；栅极电极的尾部覆盖介电层的第一部分；且栅极电极的主体覆盖介电层的第二部分。 

根据本实用新型的一个方面，在电子装置中，从俯视图的角度而言，栅极电极的主体布置在源极区域与栅极电极的尾部之间。 

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括与栅极电极的侧部相邻的绝缘材料。在电子装置中：绝缘材料具有为栅极电极的最大高度的至少约50％的高度；栅极电极的尾部布置在介电层的第一部分与绝缘材料之间；且从俯视图角度而言，栅极电极的主体基本无任何部分被布置在介电层的第一部分与绝缘材料之间。 

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括：布置在介电层的第一部分与绝缘材料之间的氮化物层，其中氮化物层与栅极电极的尾 部横向相邻。 

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括：埋入导电区域；半导体层，其具有主表面和相对表面，其中埋入导电区域布置成与主表面相比更接近相对表面；和垂直导电区域，其与主表面相邻且通过半导体层朝埋入导电区域延伸，其中垂直导电区域电连接至埋入导电区域和漏极区域或源极区域。 

根据本实用新型的一个方面，在电子装置中，漏极区域和介电层的第一部分和第二部分与主表面相邻。 

根据本实用新型的方面，形成电子装置的工艺可取消可另外用于保持漏极掺杂物浓度更接近最初形成的浓度的掩膜和掺杂步骤。 

附图说明

实施方案是通过举例的方式加以说明且不限于附图。 

图1包括工件的部分的横截面图的说明，工件包括埋入导电区域、半导体层、衬垫层和止挡层。 

图2包括图1的在形成沟槽、绝缘间隔件和导电插头之后的工件的横截面图的说明。 

图3包括图2的在形成介电层和水平定向掺杂区域之后的工件的横截面图的说明。 

图4包括图3的在形成绝缘层、导电电极和深度体掺杂区域之后的工件的横截面图的说明。 

图5包括图4的在形成绝缘侧壁间隔件之后的工件的横截面图的说明。 

图6包括图5的在形成介电层、沟道区域、体区域和绝缘侧壁间 隔件的蚀刻部分之后的工件的横截面图的说明。 

图7包括图6的在移除绝缘层的部分以形成绝缘侧壁间隔件下方的底切之后的工件的横截面图的说明。 

图8包括图7的在形成栅极电极之后的工件的横截面图的说明。