[实用新型]一种化学机械抛光研磨液过滤装置

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体工艺技术领域，涉及一种过滤装置，特别是涉及一种化学机械抛光研磨液过滤装置。

背景技术

在半导体工艺流程中，化学机械抛光（chemical mechanical polishing,CMP）是一道非常重要的工序，CMP有时候又称为化学机械平坦化（chemical mechanical planarization,CMP）。所述化学机械抛光（CMP）是指采用化学和机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料，并使它获得平滑表面的工艺程序。

CMP制程是目前集成电路制程中最受关注的新技术，利用CMP制程可大大降低晶圆片表面的凹凸、扭曲程度，以达到高精度平坦化的效果。换言之就是说，这种抛光方法通常是将芯片压放在一高速旋转的抛光垫上，并在包含有化学抛光剂和研磨颗粒的抛光原料的作用下通过抛光垫与晶圆的相互摩擦达到平滑的目的。所以由此可见，研磨液是化学机械抛光中一个非常关键的消耗品。通常，研磨液主要是以水溶液为基础的复杂悬浮物，包括硅酸盐、氧化铝、氧化铈的研磨粉状颗粒、以及化学添加剂。但是当供应研磨液的原液用于给晶圆抛光时，研磨液需要经过原液桶装卸模块、研磨液供应模块，所以研磨液经过的管路较长，管路中的阀门较多，这样管路死角也就相应增加，在这些管路死角中很容易造成研磨液的聚集和结晶，除了管路内壁，这些聚集和结晶还会粘附在供应箱的内壁上，难以清洗掉，如果不及时将这些结晶处理掉，部分结晶可能会混入研磨液中，进入研磨平台，在排出用于抛光工艺时，对晶圆表面形成刮伤，引起缺陷，进而影响整个晶圆的性能。

因此，本领域技术人员急需一种解决上述技术问题的装置

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种化学机械抛光研磨液过滤装置，用于解决现有技术中由于研磨液在排出用于抛光过程中经过的管路较长，管路中阀门较多，管路死角中容易产生研磨液结晶，这些研磨液结晶会混入研磨液中，进入研磨平台，刮伤晶圆表面，造成晶圆缺陷的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种化学机械抛光研磨液过滤装置，应用于包括研磨液输入管路和研磨液输出管路的化学机械抛光研磨液供应系统中，所述研磨液过滤装置包括：用于过滤从所述研磨液输入管路中输入的研磨液的研磨液过滤器；所述研磨液过滤器内部结构为网状结构，其网孔分为多层；连接件；分别通过所述连接件固定在所述研磨液过滤器两端的第一T型输送管路和第二T型输送管路；用于输入去离子水的去离子水输入管路，通过所述连接件将其固定在所述第一T型输送管路的一接口；用于输出经过所述研磨液过滤器的去离子水的去离子水输出管路，通过所述连接件将其固定在所述第二T型输送管路的一接口。

优选地，所述研磨液过滤装置安装在所述研磨液供应系统的供应臂中。

优选地，通过所述连接件将所述研磨液输入管路固定在所述第二T型输送管路的另一接口处。

优选地，通过所述连接件将所述研磨液输出管路固定在所述第一T型输送管路的另一接口处。

优选地，所述研磨液过滤装置还包括分别用于控制去离子水输入和输出的气阀，所述气阀分别固定在所述去离子水输入管路和去离子水输出管路上。

优选地，所述研磨液过滤器分为6层，第一层网孔直径大于10μm。

优选地，所述研磨液过滤器最后一层网孔直径根据研磨液的种类决定选择网孔直径大于0.3μm，或大于0.2μm，或大于0.1μm。

如上所述，本实用新型所述的化学机械抛光研磨液过滤装置，具有以下有益效果：

1、本实用新型所述的化学机械抛光研磨液过滤装置可以自动清洗研磨液输送管路中的研磨液结晶。

2、本实用新型所述的化学机械抛光研磨液过滤装置安装在最接近于机台的衬垫的地方，这样可以减少研磨液结晶的源头，有效防止研磨液的结晶通过输送管路进入抛光界面，避免刮伤晶圆，提高晶圆的性能。

2、本实用新型所述的化学机械抛光研磨液过滤装置通过对化学机械抛光研磨液供应系统的自动清洗进一步加强了机台利用率。

附图说明

图1显示为现有技术中化学机械抛光供应系统的结构示意图。

图2显示为装配有本实用新型的化学机械抛光研磨液过滤装置的化学机械抛光供应系统的结构示意图。

图3显示为本实用新型的化学机械抛光研磨液过滤装置结构示意图。

图4显示为本实用新型的化学机械抛光研磨液过滤装置中研磨液过滤器结构示意图。

图5显示为本实用新型的化学机械抛光研磨液过滤装置在抛光过程中工作流程示意图。