[实用新型]一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201420120040.5 申请日: 2014-03-18
公开(公告)号: CN203774321U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 陈林;朱仕镇;韩壮勇;郑天凤;朱文锋;任书克;刘志华;曹丙平;王鹏飞;周贝贝;张团结;朱海涛;吕小奖 申请(专利权)人: 深圳市三联盛半导体有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/49;H01L29/861
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 sot23 半导体 二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构,其特征在于:包括第一芯片、第二芯片和粘片板,粘片板向上延伸出单引脚,粘片板的两侧对称设有第一侧脚和第二侧脚;

串联模式时,所述第一芯片设于第一侧脚上,所述第二芯片设于粘片板上靠近第二侧脚的位置处,第一芯片通过焊丝与粘片板电连接,第二芯片通过焊丝与第二侧脚电连接;

共阴极模式时,所述第一芯片和第二芯片分别设于粘片板上的左右位置处,第一芯片通过焊丝与第一侧脚电连接,第二芯片通过焊丝与第二侧脚电连接;

共阳极模式时,所述第一芯片设于第一侧脚上,所述第二芯片设于第二侧脚上,第一芯片和第二芯片均通过焊丝与粘片板电连接。

2.根据权利要求1所述的用于SOT23半导体的双二极管封装结构,其特征在于:所述第一侧脚和第二侧脚的外侧均开设有凹槽。

3.根据权利要求2所述的用于SOT23半导体的双二极管封装结构,其特征在于:所述凹槽是半圆形凹槽。

4.根据权利要求1或2或3所述的用于SOT23半导体的双二极管封装结构,其特征在于:所述第一侧脚和第二侧脚的结构相同。

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