[实用新型]一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体器件制造领域，具体涉及双二极管封装结构，尤其是用于SOT23半导体的双二极管封装结构。

背景技术

贴片(SMT)二极管具有多种封装方式，其中，SOT23半导体作为一种重要的封装，其应用范围很广，例如应用于放大电路时，作电压或电流放大之用途；应用于振荡电路时，作调制、解调或自激振荡之用途；应用于开关电路中时，作闸流、限流或开关管之用途等等，是一种重要的封装型式。

常见的SOT23半导体的双二极管封装结构的应用模式，一般有三种，如图1所示的串联模式，如图2所示的共阴极模式，以及如图3所示的共阳极模式，上述各种应用模式的双二极管的封装结构，一般都是将两粒二极管芯片分别分装，常常导致SOT23半导体的封装体积太大，增大了两粒二极管的封装成本，降低了电路板的利用率，给生产带来很大不便。 

实用新型内容

因此，针对上述的问题，本实用新型提出一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构，将两粒二极管芯片封装至一粒SOT23元器件中，降低SOT23半导体的封装体积，减少二极管的封装成本，同时提高了电路板的利用率，从而解决现有技术之不足。

为了解决上述技术问题，本实用新型的一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构，包括第一芯片、第二芯片和粘片板，粘片板向上延伸出单引脚，粘片板的两侧对称设有第一侧脚和第二侧脚；串联模式时，所述第一芯片设于第一侧脚上，所述第二芯片设于粘片板上靠近第二侧脚的位置处，第一芯片通过焊丝与粘片板电连接，第二芯片通过焊丝与第二侧脚电连接；共阴极模式时，所述第一芯片和第二芯片分别设于粘片板上的左右位置处，第一芯片通过焊丝与第一侧脚电连接，第二芯片通过焊丝与第二侧脚电连接；共阳极模式时，所述第一芯片设于第一侧脚上，所述第二芯片设于第二侧脚上，第一芯片和第二芯片均通过焊丝与粘片板电连接。

进一步的，所述第一侧脚和第二侧脚的外侧（远离粘片板的方向）均开设有凹槽。更进一步的，所述凹槽是半圆形凹槽。更进一步的，所述第一侧脚和第二侧脚结构相同。该第一侧脚和第二侧脚的结构使塑封料在固化后增强框架的结合力，进而实现稳定的作用。

本实用新型通过上述结构，与现有技术相比，其通过芯片集成将两粒二极管芯片封装至一粒SOT23元器件中，可以节省封装体积，有效提高电路板的利用率，有效的减少两粒二极管的封装成本，并有效的提高生产效率。另外，第一侧脚和第二侧脚的独特设计的结构，使塑封料在固化后增强框架的结合力，进而实现稳定的作用。本实用新型结构简单，成本低廉，具有很好的实用性。

附图说明

图1为现有技术中双二极管封装结构的串联模式示意图；

图2为现有技术中双二极管封装结构的共阴极模式示意图；

图3为现有技术中双二极管封装结构的共阳极模式示意图；

图4为本实用新型的SOT23半导体封装双二极管串联模式时内部示意图；

图5为本实用新型的SOT23半导体封装双二极管串联模式时结构示意图；

图6为本实用新型的SOT23半导体封装双二极管共阴极模式内部示意图；

图7为本实用新型的SOT23半导体封装双二极管共阴极模式结构示意图；

图8为本实用新型的SOT23半导体封装双二极管共阳极模式内部示意图；

图9为本实用新型的SOT23半导体封装双二极管共阳极模式结构示意图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

参照图4-图9，本实用新型的一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构，包括第一芯片11、第二芯片12和粘片板13，粘片板13向上延伸出单引脚14，粘片板13的两侧对称设有第一侧脚15和第二侧脚16。

具体的，参照图4和图5，串联模式时，所述第一芯片11设于第一侧脚15上，所述第二芯片12设于粘片板13上靠近第二侧脚16的位置处，第一芯片11通过焊丝与粘片板13电连接，第二芯片12通过焊丝与第二侧脚16电连接。

参照图6和图7，共阴极模式时，所述第一芯片11和第二芯片12分别设于粘片板13上的左右位置处，第一芯片11通过焊丝与第一侧脚15电连接，第二芯片12通过焊丝与第二侧脚16电连接。

参照图8和图9，共阳极模式时，所述第一芯片11设于第一侧脚15上，所述第二芯片12设于第二侧脚16上，第一芯片11和第二芯片12均通过焊丝与粘片板13电连接。