[实用新型]一种清洁设备有效
申请号: | 201420129816.X | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN203811982U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 王守坤;郭会斌;冯玉春;张小祥;刘晓伟;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洁 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶产品制作技术领域,尤其涉及一种用于掩模板清洁的清洁设备。
背景技术
目前设计的TFT-LCD各类产品,采用掩膜板曝光技术,进行图形形成,但是如果曝光掩膜板(photo mask),放置时间太长,就会落置小灰尘(particle),即使在洁净间也无法避免,这样在曝光工艺中,就会形成重复性的不良,导致产品良率大幅度下降。而且在mask清洁完成后,向设备装入过程中由于位置偏移,容易引起down机,降低生产效率。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种清洁设备,提高产品良率。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种清洁设备,包括:
一箱体;
设置于所述箱体内,位置可移动的清洁装置;
设置于所述箱体内用于承载待清洁掩膜板的承载装置;
检测装置,用于对所述待清洁掩膜板的所有检测点进行检测,获取一检测结果;
控制器,用于根据所述检测结果控制所述清洁装置对所述待清洁掩膜板上存在的灰尘进行定点清除。
进一步的,所述检测装置具体为一位置可移动的测试探头,能够通过位置移动扫描所述待清洁掩膜板的各检测点,获取所有检测点的检测结果。
进一步的,所述测试探头和所述清洁装置成对设置,同步移动。
进一步的,所述检测装置和所述清洁装置相互独立设置,所述控制器具体 包括:
定位模块,用于根据所述检测结果定位所述待清洁掩膜板上存在的灰尘,获取一定位信息;
第一驱动模块,用于根据所述定位信息确定一目标位置,并控制所述清洁装置在所述目标位置处进行清洁操作。
进一步的,所述检测装置和所述清洁装置相互独立设置,所述检测装置具体为一用于采集所述待清洁掩膜板的图像的图像采集模块,所述控制器具体包括:
图像分析器,用于分析所述图像,确定所述待清洁掩膜板上存在的灰尘在所述图像中的第一位置信息;
转换单元,用于根据所述图像采集模块采集到的图像中的位置信息与预先建立的坐标系的对应关系,将第一位置信息转换为一目标坐标;
第二驱动模块,用于根据所述目标坐标控制所述清洁装置对位于所述目标坐标处的灰尘进行清洁操作。
进一步的,还包括:
第一机械手;
第一位置检测器,用于检测所述待清洁掩膜板在所述箱体中的第二位置信息;
第三驱动模块,用于根据所述第二位置信息控制所述第一机械手将所述待清洁掩膜板放置到所述承载装置的预定位置。
进一步的,所述清洁装置包括吸尘设备和/或吹扫设备。
进一步的,所述箱体的顶部和底部均设置有进风通道,所述箱体的至少一个侧壁上设置有出风通道。
进一步的,还包括将所述待清洁掩模板搬入或搬出所述箱体的搬运车,所述搬运车包括:
第二机械手;
第二位置检测器,用于检测所述待清洁掩膜板在所述搬运车上的第三位置信息;
第四驱动模块,用于根据所述第三位置信息控制所述第二机械手将所述待 清洁掩膜板放置到所述搬运车上的预定位置。
本实用新型的有益效果是:检测装置发现灰尘的具体位置、通过可移动的清洁装置定点清除灰尘,以在曝光工艺中提高产品的良率。
附图说明
图1表示箱体结构示意图;
图2表示箱体内部结构示意图;
图3表示搬运车结构示意图;
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的结构和原理进行详细说明,所举实施例仅用于解释本实用新型,并非以此限定本实用新型的保护范围。
如图1-图3所示,本实施例提供一种清洁设备,提高产品良率。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种清洁设备,包括:
一箱体1;
设置于所述箱体1内,位置可移动的清洁装置3;
设置于所述箱体1内用于承载待清洁掩膜板的承载装置;
检测装置2,用于对所述待清洁掩膜板的所有检测点进行检测,获取一检测结果;
控制器,用于根据所述检测结果控制所述清洁装置3对所述待清洁掩膜板上存在的灰尘进行定点清除。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备