[实用新型]一种台面PIN钝化结构有效
| 申请号： | 201420134950.9 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN203774339U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郭明玮;唐琦;刘志峰 | 申请（专利权）人： | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖高*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 台面 pin 钝化 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种台面PIN钝化结构，包括在半绝缘InP衬底上依序生长有缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型Cap InP层，其特征在于：该半绝缘InP衬底上依序生长的该缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型Cap InP层构成了阶梯层台面，在该阶梯层台面的侧壁上生长有BCB层以及在该BCB层上生长有保护该BCB层的SiO2钝化层。
2.如权利要求1所述的台面PIN钝化结构，其特征在于：所述的阶梯层台面为两侧壁构成的正阶梯形台面。
3.如权利要求2所述的台面PIN钝化结构，其特征在于：所述的侧壁与BCB之间还具有AP3000增强剂构成的结合层。
4.如权利要求3所述的台面PIN钝化结构，其特征在于：所述的BCB层覆盖该阶梯层台面全部侧壁区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
