[实用新型]一种真空沉积聚对二甲苯膜的恒速蒸发腔体有效
申请号: | 201420136762.X | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN203878208U | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 侯光辉 | 申请(专利权)人: | 侯光辉 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 东莞市创益专利事务所 44249 | 代理人: | 李卫平 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 沉积 二甲苯 蒸发 | ||
技术领域
本实用新型主要涉及真空沉积防水膜装置制作领域,尤其涉及真空沉积聚对二甲苯膜的恒速蒸发腔体制作领域。
背景技术
目前的真空沉积防水膜装置,均是采用化学气相沉积聚对二甲苯膜。其过程如下:首先,将粉末状的聚对二甲苯置于蒸发室中,并加热到 150℃以使粉末状的聚对二甲苯汽化;然后,将聚对二甲苯气体传送至裂解室,并加热到650℃以进行裂解;之后,将聚对二甲苯单体传送沉积室,并沉积在基板上。
而传统真空沉积防水膜的蒸发腔体,是采用聚对二甲苯粉(parylene 粉),添加到加热管中,利用加热管升温,使粉体表面温度达到升华温度而气化。因此聚对二甲苯粉的升华量等于升华速度乘以升华的表面积,对于一种结晶粉体,其升华速度是恒定的,然而粉体的表面积在升华过程不断变化,并且随着时间加长,内部粉体的温度也达到升华温度而发生气化,那么该升华量是不稳定的。再者,传统蒸发腔体是通过调节加热温度来调整其升华量,也就是当升华量过大,则通过水冷或停止加热来使粉体停止升华,反之亦然。由于蒸发腔体加热后短时间内很难冷却,余热会直接传导至原料二聚体,反应气体的生成速率控制会滞后,这就更易导致有些聚对二甲苯粉没有充分裂解而直接进入沉积腔体,影响防水膜的致密性,导致防水膜失效。另外,在抽真空的环境下,有一定的抽速会吹起聚对二甲苯粉,继而被抽到沉积腔体或阀门上,导致产品性能下降,设备故障。
为了克服加热滞后性的缺陷,专利号为201120514274.4的专利公开了一种《真空化学气相沉积装料盒》,其于蒸发腔室内设置有料舟,蒸发腔室一端通过一料门封闭,另一端与通入反应裂解装置的裂解管装置相连,且所述的料舟与蒸发腔室的接触面积为两条边线,料舟前后均有定位结构,且后定位结构高于料舟边沿,蒸发腔室采用热辐射为主的传热方式。然而,该专利只是增加了料舟和改变了传热方式,随着时间的增加,聚对二甲苯粉内部的粉体也会随着热量传递而开始升华,而并非仅有聚对二甲苯粉表面受温度的影响,因而也无法很好地解决加热的滞后性问题,且若聚对二甲苯粉表面处于升华温度,整个蒸发腔室也会处于升华温度,当蒸发腔室内的温度较低时,会导致升华的气体沉积在蒸发腔体的内壁上,而减少升华气体进入裂解室。
综上所述,现有技术的蒸发腔体结构具有以下缺陷:1)升华量不稳定;2)存在裂解未完全的聚对二甲苯进入沉积室的可能;3)聚对二甲苯粉体易被抽到沉积室;4)蒸发速度很难控制。
发明内容
为克服上述现有技术中存有的缺陷,本实用新型的主要目的在于提供一种真空沉积聚对二甲苯膜的恒速蒸发腔体,该蒸发腔体可恒速蒸发聚对二甲苯,可保证稳定的升华量。
本实用新型的另一目的在于提供一种真空沉积聚对二甲苯膜的恒速蒸发腔体,该蒸发腔体可很好地解决加热滞后性问题,不会使得裂解未完全的聚对二甲苯进入沉积室。
本实用新型的又一目的在于提供一种真空沉积聚对二甲苯膜的恒速蒸发腔体,该蒸发腔体内的聚对二甲苯粉末不易被抽到沉积室内。
为达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:
一种真空沉积聚对二甲苯膜的恒速蒸发腔体,包括一恒速蒸发腔体,所述恒速蒸发腔体内设有一仅底面与恒速蒸发腔体接触的聚对二甲苯靶管,所述聚对二甲苯靶管包括一由重力压缩聚对二甲苯粉末而成的聚对二甲苯靶材、一循环水冷却系统、靶管上盖和靶管下盖,所述循环水冷却系统设在所述聚对二甲苯靶材的内部,所述靶管上盖和靶管下盖分别设于聚对二甲苯靶材和循环水冷却系统的上下方,所述聚对二甲苯靶管外侧套有一电磁辐射加热圆筒。
依上述结构,所述循环水冷却系统包括有一不锈钢管、一挡板、一冷却水进水口和一冷却水出水口,所述挡板固定在不锈钢管内以将不锈钢管分隔为两条管道,且挡板的下端及左右两端分别固定在靶管下盖及不锈钢管的内壁上,挡板的高度低于不锈钢管的高度以使由挡板分隔的两条管道连通,前述靶管下盖上设有冷却水进水口和冷却水出水口,冷却水进水口和冷却水出水口分别连通由挡板分隔的两条管道,所述不锈钢管内填充有内部循环水。
依上述结构,所述聚对二甲苯靶材是由2吨重力压缩聚对二甲苯粉末而成的柱形体。
与以往技术相比,本实用新型所带来的有益效果有:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于侯光辉,未经侯光辉许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420136762.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的