[实用新型]覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构有效
申请号: | 201420137966.5 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN203787450U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 宋大仑;璩泽中;赖东昇 | 申请(专利权)人: | 茂邦电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/60 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 萨摩亚独立国阿皮亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆晶式 发光二极管 及其 封装 结构 | ||
1.一种覆晶式发光二极管,其特征在于,包含:
一蓝宝石基板;
一N型欧姆接触层,其形成且设置在该元件基板上;
一P型欧姆接触层,其形成且设置在该N型欧姆接触层上,其中该P型欧姆接触层与该N型欧姆接触层的交界面形成一发光层;
一透明导电金属氧化物层,其形成且设置在该P型欧姆接触层上;
二不同极的外露电极部,包含一负极电极部及一正极电极部;及
一覆盖在最外层的多层式反光层;
该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该发光二极管除该外露电极部以外的外表面上依序形成。
2.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管,其特征在于:该多层式反光层是由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及另一非导电性氧化硅膜所构成,其中该导电性铝膜是形成在二非导电性氧化硅膜之间。
3.如权利要求2所述的覆晶式发光二极管,其特征在于:该多层式反光层上进一步设有一电极分界区,以使该多层式反光层凭借该电极分界区而分隔成二分开且形成电性绝缘的半部反光层以分别电性连接于二不同极的外露电极部。
4.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管,其特征在于:该多层式反光层是由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
5.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管,其特征在于:该多层式反光层上进一步设有一导电性反光层,其中该导电性反光层是再利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式形成在该多层式反光层的外表面上。
6.如权利要求5所述的覆晶式发光二极管,其特征在于:该导电性反光层由铝膜或银膜所构成的金属反光层。
7.一种覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构,其特征在于:其包含一覆晶式发光二极管晶粒及一导热基板;
该覆晶式发光二极管晶粒包含一蓝宝石基板、一N型欧姆接触层、一发光层、P型欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层、二不同极的外露电极部及一覆盖在最外层的多层式反光层;
该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同光罩且一次制作方式以在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上形成该多层式反射层;
该发光二极管晶粒凭借晶粒粘着及回焊作业以对准对位覆晶于该导热基板上具有导电胶体的接点上。
8.如权利要求7所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构,其特征在于:该多层式反光层是由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及另一非导电性氧化硅膜所构成,其中该导电性铝膜形成在二非导电性氧化硅膜之间。
9.如权利要求7所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构,其特征在于:该多层式反光层是由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
10.如权利要求7所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构,其特征在于:该多层式反光层上进一步设有一导电性反光层,其中该导电性反光层是再利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该多层式反光层的外表面上形成该导电性反光层。
11.如权利要求10所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构,其特征在于:该导电性反光层由铝膜或银膜所构成的金属反光层。
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