[实用新型]覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构，尤指一种覆晶式发光二极管包含至少一多层式反光层覆盖在该发光二极管晶粒的最外层，且该多层式反光层是利用PVD真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上。

背景技术

在有关覆晶式发光二极管（flip-chip LED）如氮化镓LED结构或发光二极管的反光层的制造方法或覆晶式封装结构等技术领域中，目前已存在多种现有技术，如：中国台湾专利公告第I423482号（案号098116606、公开号201042782）、第573330号、新型第M350824号；美国专利US8,211,722、US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US7,939,832、US7,713,353、US7,642,121、US7,462,861、US7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US6,497,944、US6,791,119；及美国专利公开号US2011/0014734、US2002/0163302、US2004/0113156等。上述这些现有技术大都是针对一发光二极管（LED）晶粒结构或其封装（package）结构，在发光效率、散热功能、使用寿命、制造成本、组装合格率、制程简化、光衰等方面所产生的问题与缺失，而提出可解决该些问题与缺失的不同的技术手段。

以中国台湾公告第I423482号（案号098116606、公开号201042782）、美国专利US8,211,722（US2011/0294242）及US2011/0014734（案号12/505,991）为例说明，US2011/0014734（已放弃）是中国台湾公告第I423482号的美国专利申请案，US8,211,722是US2011/0014734（已放弃）的部分连续案（continuation-in-part）。中国台湾公告第I423482及US8,211,722都是揭示一种覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法（FLIP-CHIP GAN FABRICATION METHOD），其中凭借其所揭示的制造方法所制成的覆晶式氮化镓发光二极管晶粒的主要结构包含：一蓝宝石基板、一N型（负极）氮化镓欧姆接触层、一发光层、一P型（正极）氮化镓欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层（如氧化铟锡）、二不同极（如正、负极）的外露电极部（或衬垫）及一覆盖在该发光二极管晶粒最外层的多层式反光层，其中该多层式反光层一般是利用PVD真空镀膜工法形成；然而，其中该多层式（如三层）反光层是利用多个（如三个）不同光罩以先设立该多层式反光层的成形图案（pattern）如确定光阻层的设立位置，并再利用制程分开成多次（如三次）的PVD制作方式以在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上依序形成一多层式反光层如由一氧化硅（SiO2）膜、一铝膜及一氧化硅（SiO2）膜所构成的多层式反光层，也就是，该氧化硅（SiO2）膜、该铝膜及该氧化硅（SiO2）膜是利用三次PVD制作方式即三次真空镀膜工法来完成，即其中每一次PVD制作方式都须使用一光罩并利用一次抽真空及破真空的制作流程才完成一次真空镀膜工法，如此利用多个（如三个）不同光罩及多次（三次）PVD制作方式来制成一多层式反光层，相对会增加制作时间及成本，不利于量产化及产业竞争。

由上可知，上述该些背景技术的结构及制程实难以符合实际使用时的需求，因此在覆晶式氮化镓发光二极管结构、发光二极管的反光层的制造方法及其覆晶式封装结构等相关领域，仍存在进一步改进的需要性。

实用新型内容

本实用新型主要目的乃在于提供一种覆晶式发光二极管，达成制程简化及成本效益，并避免现有技术利用多个不同光罩且多次PVD制作方式始能完成一多层式反光层的问题及缺点的目的。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案包括：

一种覆晶式发光二极管，其特征在于，包含：

一蓝宝石基板；

一N型欧姆接触层，其形成且设置在该元件基板上；

一P型欧姆接触层，其形成且设置在该N型欧姆接触层上，其中该P型欧姆接触层与该N型欧姆接触层的交界面形成一发光层；

一透明导电金属氧化物层，其形成且设置在该P型欧姆接触层上；

二不同极的外露电极部，包含一负极电极部及一正极电极部；及

一覆盖在最外层的多层式反光层；