[实用新型]一种源漏极漏电流测试结构有效
| 申请号： | 201420147276.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN203800036U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;吴方锐;周俊;刘丽丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 源漏极 漏电 测试 结构 | ||
1.一种源漏极漏电流测试结构，其特征在于，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，其中所述填充层为弯折结构。
2.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述填充层为条形弯折结构。
3.如权利要求2所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述条形弯折结构的弯折角度为30～100度。
4.如权利要求3所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述条形弯折结构的弯折角度为70～90度。
5.如权利要求2所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，相邻的填充层镜像对称。
6.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，还包括形成于所述半导体衬底中的阱区，所述第一掺杂区和第二掺杂区形成于所述阱区中。
7.如权利要求6所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述第一掺杂区为N型重掺杂区，所述第二掺杂区为P型重掺杂区。
8.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，还包括形成于所述半导体衬底上的绝缘介质层以及形成于所述绝缘介质层中的第一插塞以及第二插塞，所述第一插塞与所述第一掺杂区连接，所述第二插塞与所述第二掺杂区连接。
9.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述第一掺杂区以及第二掺杂区与一外加测试电路电连接。
10.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述源漏极漏电流测试结构位于半导体衬底的切割道上。
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