[实用新型]一种U形沟道的半浮栅存储器有效
| 申请号： | 201420155245.7 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN203910798U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;刘磊;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;杨洋 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 半浮栅 存储器 | ||
1.一种U形沟道的半浮栅存储器，包括：
设有U形沟道区的第一种掺杂类型的半导体衬底；
在所述半导体衬底内设有第二种掺杂类型的源区和漏区，该源区和漏区凹陷在所述半导体衬底内，所述U形沟道区设于所述源区与漏区之间；
在所述U形沟道区之上设有第一层绝缘薄膜，该第一层绝缘薄膜之上设有第一种掺杂类型的浮栅，该浮栅在靠近所述源区的一侧设有缺口；
在所述漏区之上设有竖直二极管，该竖直二极管的阳极/阴极与所述浮栅相连接，阴极/阳极与所述漏区相连接；
其特征在于：所述缺口的底部表面与所述源区和漏区的上表面处于同一平面上，所述缺口内设有控制栅，该控制栅延伸至漏区之上并覆盖所述竖直二极管；
所述控制栅与浮栅、竖直二极管和漏区之间设有第二层绝缘薄膜，所述控制栅、第二层绝缘薄膜和竖直二极管组成一个以控制栅为栅极的竖直栅控二极管。
2.根据权利要求1所述的U形沟道的半浮栅存储器，其特征在于：所述竖直二极管为竖直p-n结二极管或者竖直p-i-n二极管中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的U形沟道的半浮栅存储器，其特征在于：所述浮栅为多晶硅、钨或者氮化钛中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的U形沟道的半浮栅存储器，其特征在于：所述控制栅为多晶硅栅或者金属栅中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的U形沟道的半浮栅存储器，其特征在于：所述第一层绝缘薄膜、第二层绝缘薄膜分别为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪中的任意一种或几种。
6.根据权利要求1所述的U形沟道的半浮栅存储器，其特征在于：所述第一种掺杂类型为p型掺杂、第二种掺杂类型为n型掺杂，所述竖直二极管的阳极与浮栅相连接、阴极与漏区相连接。
7.根据权利要求1所述的U形沟道的半浮栅存储器，其特征在于：所述第一种掺杂类型为n型掺杂、第二种掺杂类型为p型掺杂，所述竖直二极管的阴极与浮栅相连接、阳极与漏区相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
