[实用新型]低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路

权利要求书

1.一种低能耗超薄复合通行卡，其特征在于，包括： 

天线，充电电路，第一开关控制电路，充电电池； 

所述充电电路与所述天线相连，用于对所述天线耦合的电压信号进行处理以生成直流电压； 

所述第一开关控制电路两端分别与所述充电电路和所述充电电池相连，用于根据所述充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电。 

2.如权利要求1所述的复合通行卡，其特征在于，所述第一开关控制电路包括一个二极管，所述二极管正极与所述充电电路相连，负极与所述充电电池相连。 

3.如权利要求1所述的复合通行卡，其特征在于，所述充电电路包括第二开关控制电路及稳压芯片，所述第二开关控制电路、稳压芯片和第一开关控制电路依次相连，所述第一开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET，所述P型MOSFET的栅极与所述第二开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。 

4.如权利要求3所述的复合通行卡，其特征在于，所述充电电路还包括整流电路，所述第二开关控制电路包括一个N型MOSFET和一个P型MOSFET，所述N型MOSFET的栅极与所述整流电路的输出端相连，源极接地，漏极与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极与所述整流电路的输出端相连，漏极与所述稳压芯片相连； 

所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极还与所述第一开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连。 

5.如权利要求4所述的复合通行卡，其特征在于，所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极和所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和第二开关控制电路的P型MOSFET的源极相连。 

6.如权利要求4所述的复合通行卡，其特征在于，所述整流电路与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极之间还设置有二极管D1，所述整流电路与所述第二开关控制电路的N型MOSFET的栅极之间还设置有二极管D2。 

7.如权利要求1至6任意一项所述的复合通行卡，其特征在于，所述天线的工作频率为13.56MHz，还用于在高速公路出入口和桌面读写器ODU通信。 

8.如权利要求1至6任意一项所述的复合通行卡，其特征在于，所述复合通行卡的厚度为0.8至1.5mm。 

9.一种用于无线充电的开关控制电路，与充电电池相连，用于根据充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电，其特征在于： 

所述开关控制电路包括一个二极管，或者所述开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET。 

10.如权利要求9所述的开关控制电路，其特征在于，当所述开关控制电路包括一个二极管时，所述二极管一端与所述充电电路相连，另一端与所述充电电池相连； 

当所述开关控制电路包括一个P型MOSFET时，所述充电电路包括另一开关控制电路及稳压芯片，所述P型MOSFET的栅极与所述另一开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。