[实用新型]低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及智能交通（ITS，Intelligent Transportation System）领域技术，特别涉及一种低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路。

背景技术

高速公路入口处，车主领取用于多义性路径识别系统的复合通行卡，车辆行驶过程中，该卡接收路侧设备发送的路径信息并保存，最后在高速公路出口可根据路径信息计算车辆行驶的路径而进行收费。

目前市场上使用的复合通行卡一般在5mm左右，这种卡片由于厚度较大，存在不易保存和不易使用且不兼容现行的发卡系统的问题。因此，亟待开发一种厚度小、易保存、易使用的复合通行卡。由于卡的厚度受到限制，无法使用电量较大、体积较大的一次性电池，因此采用电量较小的电池，这种电池需要定期充电才能满足使用需求。与此同时，如何避免额外的电量浪费，延长电池的使用时间是本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路，能够节省电量，避免额外的电量浪费。

本实用新型实施例提供的低能耗超薄复合通行卡包括：

天线，充电电路，第一开关控制电路，充电电池；

所述充电电路与所述天线相连，用于对所述天线耦合的电压信号进行处理以生成直流电压；

所述第一开关控制电路两端分别与所述充电电路和所述充电电池相连，用于根据所述充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电。

进一步地，所述第一开关控制电路包括一个二极管，所述二极管正极与所述充电电路相连，负极与所述充电电池相连。

进一步地，所述充电电路包括第二开关控制电路及稳压芯片，所述第二开关控制电路、稳压芯片和第一开关控制电路依次相连，所述第一开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET，所述P型MOSFET的栅极与所述第二开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。

进一步地，所述充电电路还包括整流电路，所述第二开关控制电路包括一个N型MOSFET和一个P型MOSFET，所述N型MOSFET的栅极与所述整流电路的输出端相连，源极接地，漏极与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极与所述整流电路的输出端相连，漏极与所述稳压芯片相连；

所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极还与所述第一开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连。

进一步地，所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极和所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和第二开关控制电路的P型MOSFET的源极相连。

进一步地，所述整流电路与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极之间还设置有二极管D1，所述整流电路与所述第二开关控制电路的N型MOSFET的栅极之间还设置有二极管D2。

进一步地，所述天线的工作频率为13.56MHz，还用于在高速公路出入口和桌面读写器ODU通信。

进一步地，所述复合通行卡的厚度为0.8至1.5mm。

另外，本实用新型实施例还提供了一种用于无线充电的开关控制电路，与充电电池相连，用于根据充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电，所述开关控制电路包括一个二极管，或者所述开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET。

进一步地，当所述开关控制电路包括一个二极管时，所述二极管一端与所述充电电路相连，另一端与所述充电电池相连；

当所述开关控制电路包括一个P型MOSFET时，所述充电电路包括另一开关控制电路及稳压芯片，所述P型MOSFET的栅极与所述另一开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。

从以上的技术方案可以看出，本实用新型实施例具有以下优点：

本实用新型实施例中，第一开关控制电路与充电电路相连，根据充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制充电电路对充电电池进行充电，即充电电路与充电电池之间的通断受第一开关控制电路的控制，当第一开关控制电路闭合时，充电电路与充电电池接通实现充电，当第一开关控制电路断开时，充电电路与充电电池断开，停止充电，这样避免了停止充电时充电电路带来的额外的电量消耗，实现了电量的节省。