[实用新型]具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件

权利要求书

1.一种超结器件，所述超结器件包括：

半导体主体，其具有第一表面；

第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；

漏极区，其毗连内区；

边缘区域中的多个同心场限环；以及

中央区域中的单元阵列，其包括多个单元；

其中，在每个单元中，

第二导电类型的基区部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；

第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面；

第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且毗连基区；

其中，在一部分单元中，

补偿区域具有减少的深度。

2.根据权利要求1所述的超结器件，其中，

每个同心场限环包括硅场限环和硅场限环之上的多晶硅场限环。

3.根据权利要求2所述的超结器件，其中，

在每个同心场限环中，多晶硅场限环在转角部分连接到硅场限环。

4.根据权利要求2所述的超结器件，其中，

在每个同心场限环中，多晶硅场限环在整个环上连接到硅场限环。

5.根据权利要求2所述的超结器件，其中，

在每个同心场限环中，多晶硅场限环直接定位在硅场限环上。

6.根据权利要求1所述的超结器件，其中，

补偿区域的掺杂浓度低于基区的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的超结器件，其中，

内区的掺杂浓度是变化的。

8.根据权利要求7所述的超结器件，其中，

内区的掺杂浓度在朝着漏极区的方向上增加或减小。

9.根据权利要求1所述的超结器件，其中，

在边缘区域中，第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且位于多个同心场限环之下，并且该补偿区域中的一些具有减少的深度。

10.根据权利要求9所述的超结器件，其中，

每个同心场限环包括硅场限环和硅场限环之上的多晶硅场限环。

11.根据权利要求10所述的超结器件，其中，

在每个同心场限环中，多晶硅场限环在转角部分连接到硅场限环。

12.根据权利要求10所述的超结器件，其中，

在每个同心场限环中，多晶硅场限环在整个环上连接到硅场限环。

13.根据权利要求10所述的超结器件，其中，

在每个同心场限环中，多晶硅场限环直接定位在硅场限环上。

14.根据权利要求9所述的超结器件，其中，

补偿区域的掺杂浓度低于基区的掺杂浓度。

15.根据权利要求9所述的超结器件，其中，

内区的掺杂浓度是变化的。

16.根据权利要求15所述的超结器件，其中，

内区的掺杂浓度在朝着漏极区的方向上增加或减小。