[实用新型]具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，具体地说，涉及具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件。

背景技术

现代超结器件的特征在于越来越小的间距大小和器件面积。这个趋势由允许更小的开关损耗的Eoss的减少、导致了对于栅极驱动器的功率和大小更低的要求的减少的栅极电荷驱动，并且甚至由单位芯片面积的导通电阻（Rdson）的减少驱动，其中Eoss是存储在器件的输出电容Coss中的能量。针对大的芯片面积，小的单位芯片面积的Rdson是减少芯片成本的主要因素，并且其允许针对给定的封装大小提供较小的Rdson值。对于小的芯片大小，单个芯片的有源面积部分变得更小，这是因为不能减少边缘区域的宽度以及焊盘区域。因此，由于小的芯片大小，边缘区域的优化设计（即窄边缘区域）是减少芯片成本的另一个方式。

对于任何缩小的主要要求在于：器件在极端工作模式下仍然保持其鲁棒性，例如在雪崩条件或短路条件下仍然保持其鲁棒性。

芯片大小的减少导致了标准工作模式下以及尤其是极端工作模式下（像雪崩条件下）的更高的电流密度。由于电流密度是针对雪崩鲁棒性的限制性因素，所以如果不采取其它措施的话，那么随着芯片的缩小，雪崩鲁棒性将变差。

随着在完全均匀的器件中不断增加的漏极-源极电压（V_DS），雪崩生成均匀地开始于所有单元中。由于实际上没有制造工艺是完全均匀的，所以雪崩生成将开始于器件中未定义的点，并且具有显著电流的点可能移动到任何其它点。结果，电流丝化（filamentation）可能发生。同样，边缘区域中的显著的雪崩生成也不能完全避免。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供至少一种方案来解决上述问题。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种超结器件，所述超结器件包括：

半导体主体，其具有第一表面；

第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；

漏极区，其毗连内区；

边缘区域中的多个同心（concentrical）场限环（field limiting ring）；以及

中央区域中的单元阵列，其包括多个单元；

其中，在每个单元中，

第二导电类型的基区部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；

第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面；

第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且毗连基区；

其中，在一部分单元中，

补偿区域具有减少的深度。

优选地，每个同心场限环包括硅场限环和硅场限环之上的多晶硅场限环。更进一步，在每个同心场限环中，多晶硅场限环在转角部分连接到硅场限环。可替换地，在每个同心场限环中，多晶硅场限环在整个环上连接到硅场限环。可替换地，在每个同心场限环中，多晶硅场限环直接定位在硅场限环上。

优选地，补偿区域的掺杂浓度低于基区的掺杂浓度。

优选地，内区的掺杂浓度是变化的。更进一步，内区的掺杂浓度在朝着漏极区的方向上增加或减小。

优选地，在边缘区域中，第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且位于多个同心场限环之下，并且该补偿区域中的一些具有减少的深度。

附图说明

本实用新型的这些和其它特征和优点将通过以下参考附图的详细描述而变得明显，在附图中：

图1示出了根据本实用新型的实施例的超结器件的结构；

图2是根据本实用新型的实施例的超结器件的边缘区域的顶视图，该边缘区域包括同心场限环，其具有纵向部分和转角部分；

图3示出了根据本实用新型的另一个实施例的超结器件的结构；

图4示出了根据本实用新型的另一个实施例的超结器件的结构；

图5示出了根据本实用新型的另一个实施例的超结器件的结构；

图6示出了根据本实用新型的另一个实施例的超结器件的结构。

具体实施方式