[实用新型]矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置

说明书

技术领域

本公开涉及电子器件制造技术领域，具体而言，涉及一种矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置。

背景技术

磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的技术，由于其具有高速、低温等特点，越来越受到有关方面的关注。例如，磁控溅射技术已经应用延伸到许多生产和科研领域，在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面都有广泛的应用。特别是用磁控溅射技术制备的透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示器、太阳能电池、建筑玻璃、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等领域。

然而，现有技术中的磁控溅射靶装置仍然存在一些缺点。例如，由于在磁控溅射镀膜技术中，采用的磁场并非完全均匀的，而非均匀磁场区域中的等离子体会产生局部收缩效应，使靶材上局部位置的溅射刻蚀速率变的极大，其结果是会在较短时间内将靶材的局部区域刻蚀穿，致使靶材的利用率一般仅在20％～30％。

例如，图1以及图2中为现有技术中用于磁控溅射的矩形平面靶材的结构示意图。图中1-7均为靶材，8-9为位于靶材下端的磁铁。中间区域的靶材3-7位于均匀磁场区域，而两端区域的靶材1-2位于非均匀磁场区域。由于位于非均匀磁场区域的靶材相对于位于均匀磁场区域的靶材蚀刻速度要快很多，导致两端区域的靶材最先被蚀刻穿，而此时中间区域的靶材仍未蚀刻尽，导致整套矩形平面磁控溅射靶材浪费7％～10％。

靶材的利用率低，一方面会造成靶材的浪费，另一方面会导致换靶周期缩短，使得设备的开机率降低，影响整个生产线的产能。

利用率低的缺点对于普通材料，如TiN等材料的溅射成本没有太大影响。但是，对于一些如金、银、铂等贵金属材料或者Ti3Al等高纯度合金材料的溅射，以及一些如ITO膜、电磁膜、超导膜、电子膜、电介质膜等功能膜的制备，所需要的靶材都极其昂贵，靶材的利用率无疑会在很大程度上增加生产成本。

因此，提高矩形平面磁控溅射靶材的利用率，减少靶材的浪费，对于降低生产成本相当重要。

发明内容

针对现有技术中的部分或者全部问题，本申请公开一种矩形平面磁控溅射靶材及磁控溅射靶装置，从而提高整套矩形平面磁控溅射靶材的利用率。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，一种矩形平面磁控溅射靶材，包括：

第一部分，对应位于其两端区域的部分；

第二部分，对应位于所述两端区域的之间区域的部分；

所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分不先于所述第一部分达到刻蚀最低值。

所述第二部分与第一部分的厚度之差可以使得在磁控溅射过程中，所述第二部分与所述第一部分同时达到刻蚀最低值。

所述第二部分比所述第一部分厚1-2mm。

所述第一部分的厚度为7-9mm，所述第二部分的厚度为8-11mm。

所述矩形平面磁控溅射靶材为一体式结构。

所述第一部分和第二部分均为独立结构。

根据本公开的另一方面，一种矩形平面磁控溅射靶材，包括：

第一部分，对应位于均匀磁场区域的部分；

第二部分，对应位于非均匀磁场区域的部分；

所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

根据本公开的再一方面，一种磁控溅射靶装置，包括：背板以及贴覆在所述背板表面的矩形平面磁控溅射靶材；所述矩形平面磁控溅射靶材为上述任意一种矩形平面磁控溅射靶材。

所述背板厚度约为8mm。

由上述技术方案可知，在本实用新型所提供的矩形平面磁控溅射靶材以及磁控溅射靶装置中，通过使矩形平面磁控溅射靶材对应位于非均匀磁场区域的部分(即第一部分)的厚度适当大于对应位于均匀磁场区域的部分(即第一部分)的厚度，从而减少了矩形平面磁控溅射靶材对应位于非均匀磁场区域的部分和对应位于均匀磁场区域的部分刻蚀穿所用的时间之差，避免出现由于局部过早刻蚀穿而导致整套矩形平面磁控溅射靶材浪费，提高了整套矩形平面磁控溅射靶材的利用率。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1以及图2为现有技术中矩形平面磁控溅射靶材的结构示意图。

图3以及图4为本公开示例实施方式中矩形平面磁控溅射靶材的结构示意图。