[实用新型]一种薄悬臂梁压阻式加速度计

说明书

技术领域

本实用新型属于压阻式加速度计领域，尤其涉及一种薄悬臂梁压阻式加速度计。

背景技术

目前压阻式加速度计均采用悬臂梁结构，通过湿法腐蚀方式形成质量块与梁结构，腐蚀后梁的厚度无法达到1um，厚度不能精确控制，如采用电化学方式腐蚀又增加了工艺步骤且会在工艺中带来不必要的污染。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种薄悬臂梁压阻式加速度计，旨在解决通过湿法腐蚀方式形成质量块与梁结构的方法，腐蚀后梁的厚度无法精确控制，采用电化学方式腐蚀会增加工艺步骤且会在工艺中带来污染的问题。

本实用新型是这样实现的，一种薄悬臂梁压阻式加速度计包括玻璃、顶硅、底硅、氧化层；所述的玻璃上表面有顶硅，顶硅与玻璃之间通过阳极键合，底硅位于顶硅上方，顶硅和底硅之间设置有氧化层。

效果汇总

本实用新型的薄悬臂梁压阻式加速度计，由于SOI衬底中间有氧化层，所以腐蚀深度可控制的十分精确，从而大幅度提高其性能，可以大幅度减小芯片尺寸，同时不会带来污染。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的薄悬臂梁压阻式加速度计的剖视图；

图中：1、玻璃；2、顶硅；3、氧化层；4、底硅。

图2是本实用新型实施例提供的薄悬臂梁压阻式加速度计的俯视图；

图3是本实用新型实施例提供的薄悬臂梁压阻式加速度计流程示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

图1和图2示出了本实用新型的薄悬臂梁压阻式加速度计的结构，如图所示，一种薄悬臂梁压阻式加速度计包括玻璃1、顶硅2、底硅4、氧化层3；玻璃1上表面有顶硅2，顶硅2与玻璃1之间通过阳极键合，顶硅2和底硅4之间设置有氧化层。

如图3所示，薄悬臂梁压阻式加速度计的制作流程包括以下步骤：

S101：选择适合的SOI衬底并进行清洗；

S102：通过刻蚀制作顶硅结构；

S103：通过键合设备使顶硅和玻璃之间进行阳极键合；

S104：将底硅彻底腐蚀干净；

S105：通过刻蚀Si02层形成质量块；

S106：通过离子注入形成敏感电阻；

S107：退火处理；

S108：通过刻蚀Si02层形成欧姆接触孔；

S109：溅射铝层；

S110：刻蚀铝层形成铝电极；

S111：通过刻蚀硅进行结构释放。

本实用新型的薄悬臂梁压阻式加速度计，由于SOI衬底中间有氧化层，所以腐蚀深度可控制的十分精确，从而大幅度提高其性能，可以大幅度减小芯片尺寸，同时不会带来污染。

上述虽然结合附图对本实用新型的具体实施方式进行了描述，但并非对本实用新型保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本实用新型的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性的劳动即可做出的各种修改或变形仍在本实用新型的保护范围之内。