[实用新型]一种半导体引线框架生产线

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体引线框架制造设备，尤其是利用模具冲压法制造半导体引线框架的生产线。 

背景技术

半导引线框架是指用于连接半导体集成块内部芯片的接触点和外部导线的薄板金属框架，它的生产原料主要是铜卷。常规的半导体引线框架主要有两种制作工艺，一种蚀刻法，一种是模具冲压法。蚀刻法是用化学物质蚀刻掉材料的一部分而制成产品，多适用于小规模生产；模具冲压法，是通过模具的冲压力冲压间歇传送的薄板材料而制成，多适用于大规模生产。模具冲压法一般有以下工艺步骤：冲压、表面处理、切断成型和检片包装，冲压就是铜薄板在模具的冲压下冲压成引线框架；表面处理是将成型的引线框架进行镀银镀铜等工艺；切断成型是将连接在一起的引线框架切断成单个引线框架，并对这些引线框架进行校平；检片包装就是对各个成型完毕的引线框架进行检验，去掉残次品，将合格的产品进行打包存放。 

公开号为CN101314832，公开日为2008年12月3日的中国实用新型专利申请公开了一种铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法，包括如下步骤：提供由铁合金材料制成的板体；将板体加工为半导体引线框架；对半导体引线框架的表面进行铜电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镍电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镀铜处理本实用新型解决了半导体引线框架容易弯曲变形的问题，减少贵重金属的使用量制备的半导体引线框架具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。但是该实用新型提供的生产工艺在对半导体引线框架进行表面处理时，在镀镍、镀铜和镀银时，处理工艺比较简单，镀上的铜、镍和银由于杂质的存在，附着力较差，使用时可能出现镀层掉落，制造出来的半导体引线框架质量不是很好，使用寿命不长。 

公开号为CN102392280A，公开日为2012年3月28日的中国发明专利申请公开了一种半导体引线框架电镀全自动生产线，包括自动上料机构、传输机构、前处理部分、电镀槽、后处理部分和自动下料机构，自动上、下料机构主要是依靠气动驱动的，前处理部分的各个处理槽、电镀槽和后处理部分的各个处理槽的槽壁互相接靠着并列排布，传输机构是链式传输机构。在用该发明提供的生产线对引线框架进行电镀时，同样由于在电镀时对引线框的表面处理不够彻底，存在一些杂质，导致镀层附着力较差，使用时可能出现镀层掉落，制造出来的半导体引线框架质量较差，使用寿命不长。该生产线对贵重金属的使用量较大，生产成本高，而且由于排出的废水中重金属的含量高，排出后对周围环境污染较大。该生产在电镀时需要大量的水，对水的消耗量大。 

实用新型内容

为了克服上述贵重金属使用量大，制造出来的引线框架质量较差的缺陷，本发明提供了一种半导体引线框架制造工艺，制造出来的引线框架质量好，使用寿命长。 

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是： 

一种半导体引线框架生产线，其特征在于：包括依次设置的第一放料器、第一冲床、第二放料器、表面处理床、第三放料器和第二冲床，所述第一冲床上安装有成型模具，所述第二冲床上安装有切断成型模具，所述表面处理床包括支架和床体，床体设置在支架上，在床体上从左到右依次设置为电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区、三级水洗区、镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区、三级水洗区、镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区。

所述床体为三层床体，所述电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区和三级水洗区设置在上面一层，且从左到右依次设置；所述镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区和三级水洗区设置在中间一层，且从右到左依次设置；所述镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区设置在下面一层，且从左到右依次设置。 

在电解除油区和酸活化区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到电解除油区中； 

在酸活化区与镀镍区之间的四级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到酸活化区中；

在镀镍区与镀碱铜区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀镍区中；

在镀碱铜区与镀酸铜区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀碱铜区中；

在镀酸铜区与预镀银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀酸铜区中；

在预镀银区与镀银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到预镀银区中；