[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201420218452.2 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN203850331U | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 孟彦超;潘鹏;王爱民;王波;白欣娇;范巧温 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/04 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于：它包括衬底（1），以及从下至上依次外延生长于所述衬底之上的低温缓冲层（2）、GaN非掺杂层（3）、n/n+超晶格层（4）、N型GaN层（5）、多量子阱层（6）、发光量子阱层（7）、低温P型GaN层（8）、高温P型GaN层（9）和P型接触层（10），所述n/n+超晶格层（4）由从下到上顺次叠加10到50次的若干单元组成。
2.根据权利要求１所述的一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述衬底（1）为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求１所述的一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述低温缓冲层（2）为低温GaN缓冲层。
4.根据权利要求１所述的一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述n/n+超晶格层（4）的每个单元由轻掺硅GaN层和重掺硅GaN层组成。
5.根据权利要求１所述的一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述单元叠加10到30次。
6.根据权利要求１所述的一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述单元叠加30到50次。
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