[实用新型]一种熔丝架构

说明书

技术领域

 本实用新型有关一种熔丝，特别是指一种结构简单、工艺简便、并可进行任意扩充的熔丝架构。

背景技术

熔丝在芯片中的作用如同一个非挥发性内存元件，芯片中需要记录信息或记录芯片状态，可由熔丝提供这些功能，传统的熔丝架构有两种，一种是多晶硅熔丝，另一种是电荷存储型的熔丝结构。

目前使用一种多晶硅熔丝，其为电子式熔线结构，该结构借由多晶硅层上的硅化层形成, 其以第一介电材料部分区隔电子式熔线与半导体基底，并以第二介电材料部分区隔电子式熔线与在熔线正上方的至少一个导体，多晶硅层具有至少约2000埃的厚度与不大于0.14微米的宽度。但这种熔丝结构在布线时精度要求极高，尤其对于多晶硅的长度、宽度及长宽比例等都有严格要求，且生产效率低，同时多晶硅的形状、尺寸会因不同生产商及不同工艺而不同。目前还有一种电荷存储型的熔丝结构，其可擦除可编程只读存储器包含有两个串接的P型场效应晶体管，其中第一P型场效应晶体管(PMOS)作为选择晶体管，其栅极连接至选择栅极电位(VSG)，第一端点（源极）连接至源极线电位(VSL)。第二端点（漏极）则串接至第二PMOS的第一端点，第二PMOS的第二端点连接至位线电位(VBL)，第二PMOS的栅极作为浮置栅极。但这种熔丝细胞域较大，同样容量造成芯片面积比较大。目前还有一种击穿氧化层架构的熔丝结构，每一个内存晶胞具有一建构在一超薄介电层(例如一栅极氧化层)周围的数据储存元件，上述的数据储存元件可用来存储信息，其方法通过上述的超薄介电层施加应力使其崩溃(软崩溃或硬崩溃)以建立该内存晶胞的漏电流电平，上述内存晶胞是通过检测该晶胞吸收的电流以进行读出。但这种熔丝结构生产复杂，量率不好管控，同时需要光罩，生产效率低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种结构简单、工艺简便、并可进行任意扩充的熔丝架构。

为达到上述目的，本实用新型提供一种熔丝架构，其包括熔丝单元及与熔丝单元连接的电源与感应电路，该熔丝单元设有能加载控制信号的字线与传输烧录与读取数据所需电流的位线，该熔丝单元通过该位线连接该电源与感应电路。

所述熔丝单元包括有一个开关元件及连接该开关元件一端的第一连接组件与连接该开关元件另一端的第二连接组件，该第一连接组件另一端接地，该第二连接组件另一端为位线并连接该电源与感应电路，所述字线连接开关元件的控制端并控制开关元件的导通与截止。

用于连接所述开关元件的第一连接组件的连接端子为两个以上，所述第二连接组件的阻抗大于所述第一连接组件的阻抗。

所述开关元件为场效应管，该场效应管的源极连接该第一连接组件，该场效应管的漏极连接该第二连接组件，该场效应管的栅极连接所述字线。

所述场效应管的漏极的连接形式为：漏极、接触层、第一金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段及第二金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段及第三金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段、第三金属层、第三导通段及第四金属层依次连接。

所述开关元件为晶体管，该晶体管的基极连接所述字线，发射极连接所述第一连接组件，集电极连接所述第二连接组件。

本实用新型还提供一种熔丝架构，其包括多个熔丝单元，该熔丝单元组成阵列结构，每行熔丝单元共用一个能加载控制信号的字线，每列熔丝单元共用一个用于传输烧录与读取数据所需电流的位线，每一位线均连接电源与感应电路。

每一所述熔丝单元包括有一个开关元件及连接该开关元件一端的第一连接组件与连接该开关元件另一端的第二连接组件，该第一连接组件另一端接地，该第二连接组件另一端连接该熔丝单元所在列的位线，每一行所述字线连接该行开关元件的控制端并控制该开关元件的导通与截止。

用于连接所述开关元件的第一连接组件的连接端子为两个以上，所述第二连接组件的阻抗大于所述第一连接组件的阻抗。

所述开关元件为场效应管，该场效应管的源极连接该第一连接组件，该场效应管的漏极连接该第二连接组件，该场效应管的栅极连接所述字线。

所述场效应管的漏极的连接形式为：漏极、接触层、第一金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段及第二金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段及第三金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段、第三金属层、第三导通段及第四金属层依次连接。