[实用新型]一种用于晶圆的存储腔装置有效
| 申请号： | 201420225691.0 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN203826358U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 牛正基;奚晓明;吴新江;邓义彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 存储 装置 | ||
1.一种用于晶圆的存储腔装置，其特征在于，所述用于晶圆的存储腔装置至少包括：
存储腔及位于该存储腔底部并采用底柱支撑的底层托盘以及位于该底层托盘上的至少一层上层托盘；所述上层托盘由设置在所述底层托盘上的至少两个支柱支撑；
所述底层和上层托盘上表面的左右两边分别设有至少两个曲孔；所述每个曲孔中卡有高于该托盘上表面的曲钉；所述左右两边每一边的所述曲钉相互连接为一体；
上层托盘中的所述曲孔通过所述支柱与位于其下层的托盘的曲孔贯通；所述底层托盘的曲孔通过所述底柱以及所述存储腔底部与连接在所述存储腔外部的一抽气管贯通。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述装置还包括与所述存储腔相连接的充气管,所述充气管中的气体为惰性气体。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述充气管中的惰性气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述上层托盘或底层托盘的曲孔以及曲钉的个数分别七个，所述每个曲孔中有一个曲钉；所述上层托盘或底层托盘的左右两边分别有三个和四个曲钉。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述每个曲钉沿纸面所在平面的截面形状为L型。
6.根据权利要求1所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述每个曲钉高于所述托盘上表面的高度为1毫米至3毫米。
7.根据权利要求1所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述上层或底层托盘的曲孔之间的贯通以及所述底层托盘曲孔与所述存储腔底柱以及所述存储腔体之间的贯通是通过孔径为3毫米至6毫米的曲线通孔形成的贯通。
8.根据权利要求1所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述曲钉的材质为陶瓷。
9.根据权利要求1所述的用于晶圆的存储腔装置，其特征在于：所述托盘的材质为铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
