[实用新型]一种用于曝光的掩模台

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，特别是涉及一种用于曝光的掩模台。

背景技术

随着集成电路制造中器件的尺寸越来越小，对于光刻工艺的要求也越来越高。目前，一般都是通过缩小曝光光源波长来达到曝出更小尺寸图形的目的。然而，这种仅仅借由缩小曝光波长的方式，通常会出现光刻分辨率不足的问题。为了增加光刻分辨率，如今已发展出一种提高分辨率的技术—“两次曝光技术”，所谓“两次曝光技术”是将需要进行曝光的电路图形分解成两部分，首先曝光一部分电路图形，然后将已曝光图形移到邻近地方，再对剩下的一部分电路图形进行曝光。采用这一技术能够提高光刻分辨率。而当前在“两次曝光技术”中使用的是基于双极照明的两次曝光技术。同时，两次曝光技术还应先把布局电路图形分解成X极(水平方向)和Y极(垂直方向)两部分，并写入光掩模板，形成X极掩模板电路图形和Y极掩模板电路图形；然后，在分别将通过X双极孔径的激光束对X极掩模板电路图型进行普光，将通过Y极孔径的激光束对Y极掩模板电路图形进行曝光，曝光后图形在晶圆上叠加从而得到实际的的电路图。

现有技术中，在进行曝光时需要用到掩模台100A，如图1所示，该掩模台100A包括：底座1A、设置于所述底座1A上的第一夹持件2A，所述夹持件2A为真空夹具，该真空夹具紧紧吸附于光掩模5A下表面两侧用于支撑固定所述光掩模5A。当光照射到光掩模5A上一段时间后，光掩模板会发热，继而沿光掩模板的X方向和Y方向产生热膨胀。由于现有技术中的掩模台在X方向上有真空夹具的夹持，因此，光掩模板沿X方向的膨胀可以得到限制。但是，光掩模板在Y方向没有任何限制的部件，若光掩模在Y方向发生热膨胀，图形将会产生桶形叠加(Overlap，OVL)错误。现有常用来克服叠加错误的方法是调整扫描透镜的修正参数k9、k15或k18。但是，调整这些参数会引起邻近效应等问题。

因此，提供一种改进的用于曝光工艺的掩模台实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于曝光工艺的掩模台，用于解决现有技术中由于光照光掩模发生Y方向上的热膨胀而导致图形叠加错误的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于曝光工艺的掩模台，所述用于曝光工艺的掩模台至少包括：

底座；

设置于所述底座上且用来支撑定位光掩模X方向的第一定位件；

设置于所述底座上且用来支撑定位光掩模Y方向的若干对第二定位件。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，所述第一定位件为真空夹具，所述真空夹具设置于所述光掩模两侧的下表面。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，所述第一定位件通过一固定件与所述底座固定连接。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，所述第二定位件为机械夹具。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，在所述Y方向上设置有3～8对第二定位件。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，每一对所述第二定位件单独调节施加在光掩模Y方向上的压力。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，每一对第二定位件施加在光掩模Y方向上的压力为F，0＜F≤5000帕斯卡。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，靠近光掩模中心的第二定位件所施加的压力大于靠近光掩模两侧的第二定位件所述施加的压力。

作为本实用新型用于曝光工艺的掩模台的一种优化的结构，所述光掩模下表面的图案区域覆盖有用于保护光膜图案的薄膜。

如上所述，本实用新型的用于曝光工艺的掩模台，包括结构：底座；设置于所述底座上且用来支撑定位光掩模X方向的第一定位件；设置于所述底座上且用来支撑定位光掩模Y方向的第二定位件；所述第一定位件为真空夹具，所述真空夹具设置于所述光掩模两侧的下表面；所述第二夹持件为设置在光掩模Y方向上两侧的若干对机械夹具。本实用新型通过在光掩模Y方向上设置若干对机械夹具对所述光掩模进行限制，避免光掩模沿Y方向发生热膨胀导致图形叠加错误。

附图说明

图1为现有技术中用于曝光工艺的掩模台的结构示意图。

图2为本实用新型的用于曝光工艺的掩模台的剖面示意图。

图3为本实用新型的用于曝光工艺的掩模台的立体示意图。

元件标号说明

100,100A               掩模台