[实用新型]红外线感应器的封装结构有效
申请号: | 201420229995.4 | 申请日: | 2014-05-06 |
公开(公告)号: | CN203839385U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 冯海涛;施光典 | 申请(专利权)人: | 深圳莱特光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/09;G01J1/04 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 张晓霞 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 感应器 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种红外线传感器,用于接收红外线。
背景技术
现有的红外线接收传感器均包括设置在铝基板上的红外线接受管、前置放大电路FET管等元件,它们密封在作为金属屏蔽罩的外壳中。其中外壳的上表面上开有窗口,在窗口处设有透镜或透明通光体。外界的红外线通过窗口进入外壳内,被PIN二极管捕获转化成电信号,经由FET管放大处理后传递给A/D转换电路。例如中国专利申请号为CN200920216915.0、公开日期为2010年6月16的专利申请,其公开了一种基于PIN—FET技术的红外光接受组件。其公开的结构为常见一种红外传感器结构。
上述结构的红外线传感器,其外壳上表面的窗口面积所占上表面总的面积的比例很低,造成其灵敏度偏低。为了提高灵敏度,如果扩大窗口的面积,减小上表面的面积,则会导致金属屏蔽罩的屏蔽作用减弱。所以目前比较可行的增加灵敏度的方案是改进聚光透镜的性能以及提高PIN二极管本身的感光灵敏度。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种红外线感应器的封装结构,用来解决现有红外传感器的灵敏度偏低的问题,该红外线传感器具有更高的灵敏度。
为解决上述问题,本实用新型所采用的技术方案如下:
一种红外线感应器的封装结构,包括透镜和位于透镜下方的PIN二极管,PIN二极管位于金属的外壳内,且设于铝基板上,外壳的上面上设有窗口,透镜设在窗口上,PIN二极管与FET管电性连接;
在所述外壳侧边的内侧设有导光板,导光板且围绕在所述PIN二极管的周围;
所述导光板为侧入式导光结构,其包括位于导光板上面的入光面、位于导光板内侧面的出光面和位于导光板外侧面的背光面;其中导光板的入光面位于所述外壳的上面,背光面位于外壳的侧边内侧,出光面朝向所述PIN二极管;
所述窗口位于所述导光板上面的中间区域,所述透镜固定在所述窗口上,其底部边缘由导光板的上面支撑。
优选地:在所述背光面上设有侧边反射层。
优选地:所述外壳包括腔体,腔体由导光板合围形成,在腔体内填充有封装胶。封装胶一般是环氧树脂,也可以是透明硅胶。
优选地:在所述导光板的下面设有底部反射层。
优选地:在所述入光面上设有金属材质的增透膜。金属的增透膜除了起到增加入射光的作用外,还可以起到一定的电磁屏蔽的作用。
优选地:在所述外壳内壁的侧面或底面设有反射层。
本实用新型的有益效果在于:
相比现有技术,本实用新型在外壳内部采用了侧入式导光板技术,该导光板设置的PIN二极管周围。外界的光通过导光板侧边的入光面进入导光板,由出光面射向PIN二极管。由于导光板的侧面可以整体拾光,加上透镜的拾光效率,因此,整个器件的采集光的效率大大提升,因此其灵敏度也有很大的提升。
附图说明
图1为本实用新型的剖面结构示意图。
图2是本实用新型的俯视结构示意图。
其中,1、透镜,2、窗口,3、增透膜,4、侧边反射层,5、外壳,6、腔体,7、导光板,8、散射粒子,9、底部反射层,10、铝基板,11、PIN二极管,12、FET管,14、引脚,15、背光面,16、入光面,17、出光面。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
本实用新型的红外线传感器的结构参见图1和图2。该红外线感应器的封装结构包括聚光的透镜1和位于透镜下方的PIN二极管11,PIN二极管11位于金属的外壳内,且设于电路板上,即铝基板10上,外壳5的上面上设有窗口2,透镜1设在窗口2上,PIN二极管11与前置放大器——FET管(场效应管)12电性连接。
外壳为四边形,在外壳侧边的内侧设有导光板7,导光板7且围绕在PIN二极管11的周围。图2中的导光板由四块小的导光板切割拼接形成。
导光板7为侧入式导光结构,其包括位于导光板上面的入光面16、位于导光板内侧面的出光面17和位于导光板外侧面的背光面15。其中导光板的入光面16位于外壳的上面,背光面158位于外壳的侧边内侧,出光面17向下倾斜朝向PIN二极管11。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的