[实用新型]一种用于制备抗PID薄膜的装置有效

专利信息
申请号: 201420237360.9 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN203839396U 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 万松博;王栩生;章灵军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/677
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 制备 pid 薄膜 装置
【权利要求书】:

1.一种用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:包括臭氧发生器和箱体,箱体内具有密闭的容置空间;所述箱体侧面设有门;

所述臭氧发生器具有出气口、进气口和注气口;

所述臭氧发生器的出气口通过进气管与容置空间连通,所述臭氧发生器的进气口通过排气管与容置空间连通;臭氧发生器的注气口处设有注气管;

所述容置空间内设有第一均流板、载片板和第二均流板,所述第一均流板和第二均流板上开设有均流孔;所述载片板上开设有气孔;

还设有置换气体进气管,置换气体进气管与所述容置空间连通。

2.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述臭氧发生器为紫外线臭氧发生器或电弧臭氧发生器。

3.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:还包括加热器。

4.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述第一均流板和第二均流板水平布置,第一均流板设于第二均流板上方,第一均流板距离容置空间顶部的距离为3~15厘米,第二均流板距离容置空间底部的距离为3~15厘米。

5.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述载片板具有1~5排,每排载片板均水平设置,每排载片板的上方空间为18~40厘米,最下方载片板距离第二均流板的距离为3~15厘米。

6.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述进气管的一端与臭氧发生器的出气口连通,进气管的另一端分出至少2根进气分流管,各进气分流管管径相同,长度相同,各进气分流管与容置空间上连通或下连通,进气分流管同容置空间连通密度为4~100根/平方米。

7.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述排气管的一端与臭氧发生器的进气口连通,排气管的另一端分出至少2根排气分流管,各排气分流管管径相同,长度相同,各排气分流管与容置空间下连通或上连通,进气分流管同容置空间连通密度为4~100根/平方米。

8.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述排气管的输出端分出2路;其中1路与臭氧发生器的进气口连接,另1路与外界连通。

9.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述置换气体进气管的出气口设于进气管的管路上。

10.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述箱体的两侧各设有一扇门。

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