[实用新型]一种用于制备抗PID薄膜的装置有效
申请号: | 201420237360.9 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN203839396U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 万松博;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 pid 薄膜 装置 | ||
1.一种用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:包括臭氧发生器和箱体,箱体内具有密闭的容置空间;所述箱体侧面设有门;
所述臭氧发生器具有出气口、进气口和注气口;
所述臭氧发生器的出气口通过进气管与容置空间连通,所述臭氧发生器的进气口通过排气管与容置空间连通;臭氧发生器的注气口处设有注气管;
所述容置空间内设有第一均流板、载片板和第二均流板,所述第一均流板和第二均流板上开设有均流孔;所述载片板上开设有气孔;
还设有置换气体进气管,置换气体进气管与所述容置空间连通。
2.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述臭氧发生器为紫外线臭氧发生器或电弧臭氧发生器。
3.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:还包括加热器。
4.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述第一均流板和第二均流板水平布置,第一均流板设于第二均流板上方,第一均流板距离容置空间顶部的距离为3~15厘米,第二均流板距离容置空间底部的距离为3~15厘米。
5.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述载片板具有1~5排,每排载片板均水平设置,每排载片板的上方空间为18~40厘米,最下方载片板距离第二均流板的距离为3~15厘米。
6.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述进气管的一端与臭氧发生器的出气口连通,进气管的另一端分出至少2根进气分流管,各进气分流管管径相同,长度相同,各进气分流管与容置空间上连通或下连通,进气分流管同容置空间连通密度为4~100根/平方米。
7.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述排气管的一端与臭氧发生器的进气口连通,排气管的另一端分出至少2根排气分流管,各排气分流管管径相同,长度相同,各排气分流管与容置空间下连通或上连通,进气分流管同容置空间连通密度为4~100根/平方米。
8.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述排气管的输出端分出2路;其中1路与臭氧发生器的进气口连接,另1路与外界连通。
9.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述置换气体进气管的出气口设于进气管的管路上。
10.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述箱体的两侧各设有一扇门。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的