[实用新型]一种用于制备抗PID薄膜的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能应用技术领域，尤其涉及一种用于制备抗PID薄膜的装置。

背景技术

高压诱导衰减效应（Potential Induced Degradation，简称PID效应），是最近几年光伏领域出现的较新的衰减效应。随着光伏并网系统的逐渐推广应用，系统电压越来越高，常用的有600V和1000V。组件内部电池片相对于大地的压力越来越高，有的甚至达到600-1000V。一般组件的铝边框都要求接地，这样在电池片和铝边框之间就形成了600-1000V的高压。一般来说，组件封装的层压过程中，结构为5层，电池片在EVA中间，玻璃和背板在最外层，层压过程中EVA形成了透明、电绝缘的物质。然而，任何塑料材料都不可能100%的绝缘，而都具有一定的导电性，特别是在湿度较大的环境中，会有漏电流通过电池片，在封装材料、玻璃、背板、铝边框，如果在内部电路和铝边框之间形成高电压，漏电流将会达到微安或毫安级别，这就是太阳能电池的高压诱导效应，PID效应使得电池表面钝化效果恶化和形成漏电回路，导致填充因子、开路电压、短路电流降低，使组件性能低于设计标准。严重时，PID效应可以使组件功率下降30%以上。

解决PID问题的关键是生产具有抗PID能力的太阳能电池片。有研究表明，在常规晶体硅太阳能电池片的氮化硅和晶体硅片之间增加一层介质膜是有效的抗PID手段，其中，使用臭氧使硅片表面形成一层氧化硅薄膜是较为经济可靠的工艺方法。然而，臭氧对人体有一定的伤害作用。因此，设计一种用于制备抗PID薄膜的装置，既可以大量、快速、均匀地使硅片表面形成氧化硅薄膜，又要实现避免臭氧泄漏到车间环境中，具有现实意义。

发明内容

本实用新型目的是提供一种既可大量、快速、均匀地使硅片表面形成氧化硅薄膜，又可避免臭氧泄漏到车间环境中的用于制备抗PID薄膜的装置。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于制备抗PID薄膜的装置，包括臭氧发生器和箱体，箱体内具有密闭的容置空间；所述箱体上设有门；

所述臭氧发生器具有出气口、进气口和注气口；

所述臭氧发生器的出气口通过进气管与容置空间连通，所述臭氧发生器的进气口通过排气管与容置空间连通；臭氧发生器的注气口处设有注气管；

所述容置空间内设有第一均流板、载片板和第二均流板，所述第一均流板和第二均流板上开设有均流孔；所述载片板上开设有气孔；

还设有置换气体进气管，置换气体进气管与所述容置空间连通。

上文中，所述均流孔在第一均流板和第二均流板上优选为均匀分布。所述第一均流板和第二均流板上的开孔率为0.1%~10%。

所述载片板上开设有气孔，优选的，气孔在载片板上均匀分布，开孔率为10%~99%。

所述臭氧发生器的数量为至少1个。

上述技术方案中，所述臭氧发生器为紫外线臭氧发生器或电弧臭氧发生器。

上述技术方案中，还包括加热器。该加热器可以对箱体进行加热，加热的温度范围为15℃~80℃。

上述技术方案中，所述第一均流板和第二均流板水平布置，第一均流板设于第二均流板上方，第一均流板距离所述容置空间顶部的距离为3~15厘米，第二均流板距离所述容置空间底部的距离为3~15厘米。

上述技术方案中，所述载片板具有1~5排，每排载片板均水平设置，每排载片板的上方空间为18~40厘米，最下方载片板距离第二均流板的距离为3~15厘米。

上述技术方案中，所述进气管的一端与臭氧发生器的出气口连通，进气管的另一端分出至少2根进气分流管，各进气分流管与容置空间连通。优选的，各进气分流管管径相同，长度相同，各进气分流管与容置空间上连通或下连通，进气分流管同容置空间连通密度为4~100根/平方米。

上述技术方案中，所述排气管的一端与臭氧发生器的进气口连通，排气管的另一端分出至少2根排气分流管，各排气分流管与容置空间连通。优选的，排气管的另一端分出排气分流管，各排气分流管管径相同，长度相同，各排气分流管与容置空间下连通或上连通，进气分流管同容置空间连通密度为4~100根/平方米。

上述技术方案中，所述排气管的输出端分出2路；其中1路与臭氧发生器的进气口连接，另1路与外界连通。与外界连通的一路用于尾气排放。

优选的，所述置换气体进气管的出气口设于进气管的管路上。