[实用新型]一种闪存测试结构有效
| 申请号： | 201420238782.8 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN203826349U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 测试 结构 | ||
1.一种闪存测试结构，其特征在于，所述闪存测试结构至少包括：
基底与位于该基底上表面的氧化层；所述氧化层上表面由下而上依次堆叠有浮栅、绝缘层以及控制栅；
所述控制栅上表面刻蚀有平行排列且通过所述控制栅、绝缘层以及浮栅与所述氧化层上表面贯通的若干第一条形槽；
由所述浮栅、绝缘层以及控制栅组成的层叠结构的侧壁以及所述若干第一条形槽的侧壁均设有保护层；
刻蚀于所述控制栅上表面、与所述若干第一条形槽以及所述控制栅侧壁相交的第二条形槽；所述第二条形槽间断于所述保护层处；
所述第二条形槽无间断的区域与所述绝缘层上表面贯通；
所述第二条形槽左、右两边的所述控制栅之间加有电压。
2.根据权利要求1所述的闪存测试结构，其特征在于：所述保护层为由氮化物和氧化物组成的层叠介质结构。
3.根据权利要求1所述的闪存测试结构，其特征在于：所述平行排列的若干第一条形槽彼此之间间距相等，所述若干第一条形槽的长度相等并且其首尾两端分别彼此对齐。
4.根据权利要求3所述的闪存测试结构，其特征在于：所述第二条形槽的个数为一个。
5.根据权利要求4所述的闪存测试结构，其特征在于：所述第二条形槽与所述若干相互平行的第一条形槽垂直相交。
6.根据权利要求1所述的闪存测试结构，其特征在于：所述氧化层材料为二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的闪存测试结构，其特征在于：所述浮栅与所述控制栅的材料为多晶硅。
8.根据权利要求1所述的闪存测试结构，其特征在于：所述绝缘层为包含氧化物-氮化物-氧化物或包含氧化物-氮化物的层叠介质结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
