[实用新型]一种闪存测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件测试结构，特别是涉及一种闪存测试结构。

背景技术

半导体存储器件中，闪存(FLASH)是一种非易失性的存储器，且属于可擦除可编程只读存储器，同时，闪存产品具有存取速度快、质轻容量大、存取装置体积小等优点，被广泛应用于各类诸如智能卡、SIM卡、微控制器和手机等电子产品中。

一般而言，FLASH器件基本分为两种类型：叠栅器件和分栅器件。叠栅器件通常包含有浮栅和控制栅，浮栅位于控制栅和基底之间，其不与电路连接，处于浮置状态，用于存储数据；控制栅用于控制浮栅。此外，浮栅与基底间还存在氧化层，浮栅与控制栅之间还存在有介质层。

请参考图1，表示的是现有技术中叠栅结构闪存单元的俯视示意图，图2表示为图1沿XX'方向的截面示意图。图2中，基底10上表面设有氧化层11；所述氧化层上表面由下而上依次堆叠有浮栅12、绝缘层13以及控制栅14；由所述浮栅、绝缘层以及控制栅组成的层叠结构的侧壁设有保护层15；当进行控制栅刻蚀时，往往会由于控制栅的侧壁斜坡而使得在所述保护层投影于所述控制栅的区域会残留一部分控制栅材料，给器件带来制造的缺陷。如图1中在所述控制栅的表面刻蚀贯通于所述绝缘层的沟槽141图3为图1沿YY'方向的截面示意图。图2和图3中的残留物142为所述控制栅侧壁的保护层15投影于所述控制栅表面的区域形成残留物142，由残留物给器件带来的缺陷极有可能使得器件失效，给生产来带严重的损失。通常情况下，控制栅刻蚀带来的缺陷在现有技术中无法精确预测或监测，从而使后续的失效分析手段更加复杂。

因此，有必要提出一种能够有效且最大程度的监测由于控制栅的刻蚀带来的残留物导致缺陷的测试结构，即本实用新型的一种闪存测试结构。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种闪存测试结构，用于解决现有技术中由于控制栅刻蚀导致的器件缺陷而无法精确监测的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种闪存测试结构，所述闪存测试结构至少包括：基底与位于该基底上表面的氧化层；所述氧化层上表面由下而上依次堆叠有浮栅、绝缘层以及控制栅；所述控制栅上表面刻蚀有平行排列且通过所述控制栅、绝缘层以及浮栅与所述氧化层上表面贯通的若干第一条形槽；由所述浮栅、绝缘层以及控制栅组成的层叠结构的侧壁以及所述若干第一条形槽的侧壁均设有保护层；刻蚀于所述控制栅上表面、与所述若干第一条形槽以及所述控制栅侧壁相交的第二条形槽；所述第二条形槽间断于所述保护层处；所述第二条形槽无间断的区域与所述绝缘层上表面贯通；所述第二条形槽左、右两边的所述控制栅之间加有电压。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述保护层为由氮化物和氧化物组成的介质结构。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述平行排列的若干第一条形槽彼此之间间距相等，所述若干第一条形槽的长度相等并且其首尾两端分别彼此对齐。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述第二条形槽的个数为一个。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述第二条形槽与所述若干相互平行的第一条形槽垂直相交。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述氧化层材料为二氧化硅。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述浮栅与所述控制栅的材料为多晶硅。

作为本实用新型的闪存测试结构的一种优选方案，所述绝缘层为包含氧化物-氮化物-氧化物或包含氧化物-氮化物的介质结构。

如上所述，本实用新型的闪存测试结构，具有以下有益效果：本实用新型在控制栅表面增加若干平行排列且与第二条形槽相交的第一条形槽，通过在第二条形槽左、右两边的控制栅之间施加电压，来测试其中是否有电流来监测刻蚀控制栅时因残留物而是否产生缺陷的问题。

附图说明

图1为现有技术中的闪存结构的俯视示意图。

图2为图1中闪存结构沿XX'方向的截面示意图。

图3为图1中闪存结构沿YY'方向的截面示意图。

图4为本实用新型的闪存测试结构的俯视示意图。

图5为图4中闪存测试结构沿XX'方向的截面示意图。

图6为图4中闪存测试结构沿YY'方向的截面示意图。

元件标号说明

10、20  基底

11、21  氧化层

12、22  浮栅

13、23  绝缘层

14、24  控制栅