[实用新型]一种影像传感器模组有效
申请号: | 201420258596.0 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN203895458U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 影像 传感器 模组 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术,特别涉及一种影像传感器模组。
背景技术
影像传感器是一种能够感受外部光线并将其转换成电信号的传感器。在影像传感器芯片制作完成后,再通过对影像传感器芯片进行一系列封装工艺,从而形成封装好的影像传感器,以用于诸如数码相机、数码摄像机等等的各种电子设备。
传统的影像传感器封装方法通常是采用引线键合(Wire Bonding)进行封装,但随着集成电路的飞速发展,较长的引线使得产品尺寸无法达到理想的要求,因此,晶圆级封装(WLP:Wafer Level Package)逐渐取代引线键合封装成为一种较为常用的封装方法。晶圆级封装技术具有以下优点:能够对整个晶圆同时加工,封装效率高;在切割前进行整片晶圆的测试,减少了封装中的测试过程,降低测试成本;封装芯片具有轻、小、端、薄的优势。
现有技术中图像传感芯片是由图像传感单元(CIS)和信号处理单元(DSP)两部分组成的,其中,图像传感单元用于接收光信号,信号处理单元用于将光信号转化为电信号。
然而,现有技术中,在一块芯片上形成图像传感芯片以及信号处理芯片时,芯片设计难度且形成的影像传感器模组性能有待提高。
实用新型内容
本实用新型解决的问题是提供一种影像传感器模组,提高影像传感器模组的封装性能。
为解决上述问题,本实用新型提供一种影像传感器模组,包括:PCB基板,所述PCB基板具有正面和与所述正面相对的背面,所述PCB基板内具有贯穿所述PCB基板的孔洞,且所述PCB基板内具有线路分布;位于所述PCB基板正面的金属层,所述金属层与线路分布电连接;倒装在PCB基板正面上方的图像传感芯片,所述图像传感芯片具有影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘,其中,所述影像感应区位于孔洞上方,所述焊盘和金属层电连接;位于金属层表面的焊接凸起;位于所述PCB基板背面的信号处理芯片,所述信号处理芯片与线路分布电连接。
可选的,还包括:位于PCB基板背面的镜头组件,所述镜头组件包括滤光片、镜座和镜片,其中,所述镜片通过镜座与所述PCB基板背面相连接。
可选的,所述滤光片位于PCB基板背面或卡配于镜座上。
可选的,所述滤光片的尺寸大于或等于影像感应区的尺寸。
可选的,还包括:支撑部,通过所述支撑部将镜片与镜座相互固定。
可选的,所述支撑部外侧壁具有外螺纹,所述镜座内侧壁具有内螺纹,所述支撑部和所述镜座通过螺纹螺合相互固定。
可选的,所述孔洞的尺寸大于或等于影像感应区的尺寸。
可选的,还包括:第一金属凸块,所述第一金属凸块位于焊盘和金属层之间,通过所述第一金属凸块电连接所述焊盘和金属层。
可选的,所述第一金属凸块的形状为方形或球形。
可选的,还包括:第二金属凸块,所述第二金属凸块位于信号处理芯片和线路分布之间,通过所述第二金属凸块电连接所述信号处理芯片和线路分布。
可选的,所述第二金属凸块的形状为方形或球形。
可选的,还包括:覆盖于金属层表面以及图像传感芯片表面的塑封层;位于塑封层内的通孔,所述通孔底部暴露出金属层表面,所述焊接凸起位于通孔内,且所述焊接凸起顶部高于塑封层表面。
可选的,所述焊接凸起顶部至塑封层表面的距离为20μm至100μm。
可选的,所述金属层侧壁与PCB基板侧壁齐平。
可选的,所述塑封层覆盖于金属层侧壁表面。
可选的,还包括:覆盖于图像传感芯片侧壁表面以及第一金属凸块侧壁表面的点胶层,且焊接凸起顶部高于图像传感芯片表面。
可选的,所述焊接凸起顶部至图像传感芯片表面的距离为20μm至100μm。
可选的,还包括:位于所述PCB基板背面的无源元件。
与现有技术相比,本实用新型的技术方案具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的