[实用新型]一种白光LED芯片有效

专利信息
申请号: 201420268567.2 申请日: 2014-05-23
公开(公告)号: CN203910851U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 万垂铭;许朝军;姜志荣;姚述光;曾照明;肖国伟 申请(专利权)人: 晶科电子(广州)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/50
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 肖云
地址: 511458 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 白光 led 芯片
【权利要求书】:

1.一种白光LED芯片,其特征在于:包括一贴装式LED芯片,在所述贴装式LED芯片的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片,在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙,所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:

所述贴装式LED芯片为倒装LED芯片,其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层,在所述P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层,在所述P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔,在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔,在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层,所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接,所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。

3.根据权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:

所述反光墙厚度在10-1000um之间。

4.根据权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:

所述反光墙材料为在可见光区光反射率在95%以上的金属材料。

5.根据权利要求4所述的白光LED芯片,其特征在于:

所述反光墙材料为金、银、铜、镍、钨与钛中的任一种。

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