[实用新型]一种白光LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型属于LED技术领域，具体涉及一种白光LED芯片。

背景技术

白光LED芯片是采用Chip Scale Package(以下简称为“CSP”)技术实现的可以直接发白光的LED芯片，该类芯片具有体积小、发光角度大、可耐大电流驱动、制造成本低、方便下游客户灯具设计。

当前LED白光芯片的普遍结构特征：倒装芯片结构，电极在底部，正上面和4个侧面均包覆荧光粉。正上方和四个侧面的荧光粉层普遍采用Molding和压合半固化的荧光片工艺来实现的，正上方和四个侧面的荧光粉层是相同材料一体成型的结构。又如中国专利申请号201310039776.X公开了一种具有波长转换层的发光二极管元件的结构，在倒装LED芯片上制作荧光层，让四个侧面荧光粉距离底部电极保持一定高度，但是该结构会引起四个侧面有蓝光漏出，出现蓝圈的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种白光LED芯片，以解决现有制作工艺过程中容易污染LED芯片电极而影响白光LED芯片后工序的焊接不良和LED芯片侧面漏光的问题。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型所采用的技术方案如下：

一种白光LED芯片，包括一贴装式LED芯片，在所述贴装式LED芯片的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片，在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙，所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。

进一步的，所述贴装式LED芯片为倒装LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在所述P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层，在所述P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。

进一步的，所述反光墙厚度在10-1000um之间。

进一步的，所述反光墙材料为在可见光区光反射率在95％以上的金属材料。

进一步的，所述反光墙材料为金、银、铜、镍、钨与钛中的一种或多种的组合。

本实用新型在同一构思下，将贴装式LED芯片直接贴装在一预制成型的光转换层薄片上，将反光墙直接做在预制成型的光转换层薄片上。本实用新型在直接贴装式LED芯片四个侧面设置反光墙，使得本实用新型白光LED芯片四个侧面不会出现漏蓝光，同时能够将光集中于正面发出提升白光LED芯片的发光效率。同时，本实用新型的这种结构有利于选择倒贴LED芯片于预制成型的光转换薄膜上，避免现有做法让LED芯片底部电极受到污染，提高白光LED芯片后工序应用的焊接良率。

因此，本实用新型不仅能够提升白光LED芯片的发光效率，而且能够避免现有做法让LED芯片底部电极受到污染和生产加工容易、产品良率高的优点。

附图说明

图1是本实用新型贴装式LED芯片的结构示意图；

图2是本实用新型白光LED芯片的结构示意图；

图3a-图3f是本实用新型实施例1制作方法过程示意图；

图4a-图4c是本实用新型实施例2制作方法过程示意图；

图5a-图5d是本实用新型实施例3制作方法过程示意图。

图中：

100、贴装式LED芯片

101、外延衬底层                        102、N型氮化镓层

103、发光层                            104、N型欧姆接触层

105、P型氮化镓层                       106、P型欧姆接触层

107、绝缘层                            108、P电极键合层

109、N电极键合层

200、光转换层薄片

300、反光墙

400、感光性材料层

具体实施方式