[实用新型]一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构

权利要求书

1.一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其包括表面设置有若干个芯片电极（110）的硅基体（101），所述硅基体（101）的上表面附着有芯片表面钝化层（120），所述芯片表面钝化层（120）于芯片电极（110）的正上方设有芯片表面钝化层开口（121），所述芯片表面钝化层开口（121）露出芯片电极（110）的表面， 

其特征在于：所述芯片表面钝化层（120）的表面设置再钝化层（200），所述再钝化层（200）于芯片电极（110）的正上方设置再钝化层开口（201），所述再钝化层开口（201）的尺寸边界不大于芯片表面钝化层开口（121）的尺寸边界，且露出芯片电极（110）的表面，所述再钝化层开口（201）的内壁以及裸露的芯片电极（110）的表面设置金属溅射层（311），所述金属溅射层（311）的表面固定连接芯片引脚（400）；

全部所述芯片引脚（400）按功能划分区域，形成功能区域边界；

还包括再钝化层开槽（202），所述再钝化层开槽（202）沿功能区域边界延伸至整个再钝化层（200）。

2.根据权利要求1所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述功能区域边界将芯片引脚（400）按功能划分为上下左右中五个区域，再将位于中间区域的芯片引脚（400）再划分为四个区域。

3.根据权利要求1所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述芯片引脚（400）包括金属铜柱（401）、金属锡帽（402），所述金属铜柱（401）与金属溅射层（311）的表面固连，所述金属锡帽（402）置于金属铜柱（401）的顶端。

4.根据权利要求1所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述再钝化层（200）的厚度范围为5～10μm。

5.根据权利要求1所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述再钝化层开槽（202）与芯片引脚（400）之间的间距L1，L1≥50μm。

6.根据权利要求1所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述再钝化层开槽（202）的宽度不小于50μm。

7.根据权利要求1所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述再钝化层开槽（202）的深度与再钝化层（200）的厚度相等。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：所述再钝化层开口（201）的中心线与芯片表面钝化层开口（121）的中心线重合。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其特征在于：同一侧的所述再钝化层开口（201）边缘与芯片表面钝化层开口（121）边缘之间的间距L2，L2≥5μm。