[实用新型]一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构

说明书

技术领域

    本实用新型涉及一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。 

背景技术

在半导体制造行业，摩尔定律一直是鞭策行业向前发展的动力，芯片线宽节点从初始的微米阶段发展为现在的纳米阶段。随着单位面积上管芯数量按照摩尔定律的指数增长，相继出现了65纳米、45纳米、32纳米和目前的22纳米技术，这种特征尺寸的急剧缩减，导致介电材料追求低介电损耗常数（通常称为Low-k），以减小电路结构的寄生电阻、电容和电感，同时保证线路具有良好的绝缘性能。 

对于目前市场上常用的手机应用处理器，就是使用的这种Low-K芯片。目前的手机的应用处理器，从芯片引脚布局和用途来看，分为两个部分：上下左右区域的功能引脚和中间区域的电源引脚，如图1所示。通常，这种芯片内Low-k 材料的选择为多孔材料，这种材料相对较脆，在外加应力的情况下容易导致芯片钝化层断裂，造成线路失效。 

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种不易导致芯片钝化层断裂、造成线路失效的带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，以有效降低产品自身应力，提高产品可靠性。 

本实用新型是这样实现的： 

本实用新型一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，其包括表面设置有若干个芯片电极的硅基体，所述硅基体的上表面附着有芯片表面钝化层，所述芯片表面钝化层于芯片电极的正上方设有芯片表面钝化层开口，所述芯片表面钝化层开口露出芯片电极的表面， 

其特征在于：所述芯片表面钝化层的表面设置再钝化层，所述再钝化层于芯片电极的正上方设置再钝化层开口，所述再钝化层开口的尺寸边界不大于芯片表面钝化层开口的尺寸边界，且露出芯片电极的表面，所述再钝化层开口的内壁以及裸露的芯片电极的表面设置金属溅射层，所述金属溅射层的表面固定连接芯片引脚；

全部所述芯片引脚按功能划分区域，形成功能区域边界；

还包括再钝化层开槽，所述再钝化层开槽沿功能区域边界延伸至整个再钝化层。

本实用新型所述功能区域边界将芯片引脚按功能划分为上下左右中五个区域，再将位于中间区域的芯片引脚再划分为四个区域。 

本实用新型所述芯片引脚包括金属铜柱、金属锡帽，所述金属铜柱与金属溅射层的表面固连，所述金属锡帽置于金属铜柱的顶端。 

本实用新型所述再钝化层的厚度范围为5～10μm。 

本实用新型所述再钝化层开槽与芯片引脚之间的间距L1，L1≥50μm。 

本实用新型所述再钝化层开槽的宽度不小于50μm。 

本实用新型所述再钝化层开槽的深度与再钝化层的厚度相等。 

进一步地，所述再钝化层开口的中心线与芯片表面钝化层开口的中心线重合。 

进一步地，同一侧的所述再钝化层开口边缘与芯片表面钝化层开口边缘之间的间距L2，L2≥5μm。 

本实用新型的有益效果是： 

1、本实用新型通过在芯片钝化层表面覆盖一再钝化层、再在钝化层上设计沿芯片引脚的功能区域边界延伸的再钝化层开槽，实现了封装结构的应力的释放，有效地降低了再钝化层固化工艺中自身收缩的应力，提高了产品可靠性；

2、本实用新型通过添加开槽再钝化层将芯片表面的再钝化层进行划分，在回流工艺中，由于划分后每部分再钝化层的面积较小，热膨胀所带来的应力也相应减小，从而避免了芯片表面钝化层开裂的问题，提升了产品可靠性。

附图说明

图1为现有芯片封装结构的一种类型的布局示意图； 

图2为本实用新型一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构的一种类型的布局示意图；

图3为图2的局部I（拐角）的放大示意图；

图4为图3的A-A剖面示意图。

其中： 

硅基体101

芯片电极110

芯片表面钝化层120

芯片表面钝化层开口121

再钝化层200

再钝化层开口201

再钝化层开槽202

金属溅射层311

芯片引脚400

金属铜柱401

金属锡帽402。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更加充分地描述本实用新型，在附图中示出了本实用新型的示例性实施例，从而本公开将本实用新型的范围充分地传达给本领域的技术人员。然而，本实用新型可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限制于这里阐述的实施例。