[实用新型]一种栅极独立抗噪直插式传声器有效
| 申请号： | 201420291187.0 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203933947U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 施存炬;张建国 | 申请（专利权）人： | 宁波兴隆电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315135 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 独立 抗噪直插式 传声器 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及金属极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述金属极板通过胶水与场效应管FET相接。
2.根据权利要求1所述的一种栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于：所述金属极板的两端上对称设有音气孔，所述胶水灌注在金属极板表面上且覆盖住音气孔。
3.根据权利要求2所述的一种栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于：所述胶水灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET相接。
4.根据权利要求3所述的一种栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于：所述场效应管FET的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。
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