[实用新型]一种栅极独立抗噪直插式传声器

说明书

技术领域：

本发明涉及一种传声器，尤其涉及一种栅极独立抗噪直插式传声器。

背景技术：

传声器，即麦克风，现被广泛使用的是驻极体传声器，传统的传声器底面普遍采用PCB板表面铺铜接地，且传声器中的场效应管FET安装于PCB板上，电容等其它元器件也同样安装于PCB板上，场效应管FET的栅极与金属极板相接,整个传声器通过外壳接地，从而达到屏蔽信号和减低噪声效果。

然而，传统传声器采用PCB板铺铜，实用时间一久容易造成氧化，造成传声器性能降低，抗噪能力下降，可靠性不高。

发明内容：

本发明的目的在于解决传统传声器使用寿命短，抗造能力不稳定的问题，提供一种可靠性高的栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及金属极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述金属极板通过胶水与场效应管FET相接。

进一步的，所述金属极板的两端上对称设有音气孔，所述胶水灌注在金属极板表面上且覆盖住音气孔。

进一步的，所述胶水灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET相接。

进一步的，所述场效应管FET的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。

本发明与现有技术相比的有益效果：1、本发明利用导电板代替PCB板接地使得传声器受磁场影响有效减少，信号屏蔽性能更为良好。

2、本发明中为二端输出，场效应管FET的漏极D和源极S，而场效应管FET的栅极G独立，可以在栅极G上自由添加元器件，以实现传声器更优越的效果，能更好的起到抗噪功能。

附图说明：

图1是传统传声器的结构示意图；

图2是本发明的结构示意图；

图3是本发明的仰视图。

图1中所示：11、PCB板，12、结型场效应管，13、塑腔，14、极板，15、铜，16、栅极。

图2中所示：1、导电板，2、场效应管FET，3、塑腔，4、胶水，5、金属极板，6、栅极G，7、音气孔。

具体实施方式：

下面结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，一种传统传声器，包括PCB板，结型场效应管和极板，传统传声器的PCB板上设有一凹形的塑腔，塑腔的下端面上设结型场效应管，所述极板将塑腔上端面的凹口密封，在极板上开有音气孔，所述结型场效应管的栅极与极板相接，结型场效应管的源极和漏极作为两个引出脚，穿过PCB板引出，并在PCB板和引出脚相交处焊接牢固，结型场效应管与塑腔之间留有一定空隙，这种传统的传声器用金属作为外壳，并将金属外壳与PCB板表面相接接地。

声波通过音气孔进入后引起电容容量大小的变化，通过结型场效应管放大后得到了与声波相对应的输出电压信号。

上述传统传声器采用PCB板表面铺铜，金属外壳与PCB板表面相接接地，且传统传声器中的结型场效应管的源极和漏极穿过PCB板引出，结型场效应管的栅极与金属极板相接，整个传声器通过外壳接地，从而达到屏蔽信号和减低噪声效果，由于铜在空气容易被氧化，造成传统传声器信号屏蔽性能降低，抗噪能力下降，使传声器的可靠性受到影响，为了解决传统传声器存在的问题，本实用新型提出一种信号屏蔽效果好，抗噪能力强，且密封性能好的传声器，采用如下的技术方案：

如图2所示，一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET2、用于设置场效应管FET的塑腔3，以及金属极板5，塑腔3底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板1，场效应管FET2和塑腔3之间附有一层胶水4，场效应管FET2的栅极G6紧靠一侧的导电板1内边沿引出，形成栅极G6独立，金属极板5通过胶水4与场效应管FET2相接。

金属极板5的两端上对称设有音气孔7，胶水4灌注在金属极板表面5上且覆盖住音气孔7；胶水4灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET2相接；场效应管FET2的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。

场效应管FET2并没有安装于PCB板上，而是直接引出管脚，通过在传声器底面铺设导电板接地从而解决了PCB板底面铺铜的容易氧化的问题，且导电板的抗电磁干扰能力更为优越，导电板接地后信号屏蔽性能也大大提高，从而使得传声器抗噪性能有效提高。