[实用新型]显影装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术，特别是涉及一种显影装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，光刻工艺有着举足轻重的地位。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光刻胶图案，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。因而，光刻工艺的好坏直接影响刻蚀或离子注入的结果，并最终影响形成半导体器件的电性。

一般的，光刻工艺的主要步骤有：

首先，在半导体晶圆表面旋涂光刻胶层，并进行软烘烤，以增强光刻胶的黏着性；

然后，进行曝光，以将掩膜板上的图案转移至所述光刻胶层上。其中，在曝光过程中，所述光刻胶层上被曝光区域的光刻胶会发生光化学反应。

然后，进行显影工艺，以形成光刻胶图案。具体为向所述光刻胶层表面喷显影液，使得所述光刻胶层形成为光刻图形，然后采用去离子水将显影液和光刻胶残渣去除。其中，对于正光刻胶而言，所述光刻胶层中被曝光的区域与显影液发生化学反应从而溶解于显影液，对于负光刻胶而言，所述光刻胶层中未被曝光的区域与显影液发生化学反应从而溶解于显影液。

如图1所示，为传统工艺中一种所述显影工艺中所用的显影装置，所述显影装置适于在显影工艺中进行喷显影液或去离子水。包括：输出管道20、引流盒22和喷嘴23。所述喷嘴23一般为竖直的细管。在喷嘴23的正下方为硅片基台(未图示)，在硅片基台上平放一晶圆10，晶圆10表面为经过曝光处理的光刻胶层。液体(显影液或者去离子水)30通过输出管道20、引流盒22和喷嘴23，滴落到晶圆10表面，对光刻胶层进行显影，或者清洗显影液反应后的光刻胶层。所述喷嘴23对晶圆10表面喷洒液体时，所述晶圆基座带动晶圆进行快速旋转，以将滴在所述晶圆10表面中心位置的液体尽可能均匀的甩在所述晶圆10表面的其它部位。

随着集成电路工艺的线宽的逐渐减小，这样的显影方式渐渐不适应生产要求，故需要一种新的显影方式来解决这个问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种显影液喷嘴组件和显影装置，用于解决现有技术中显影后处于晶圆中心处的光刻胶层和处于晶圆靠边缘处的光刻胶层中的图案大小不一致，均匀性不好的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种显影装置，所述显影装置至少包括：

晶圆基台以及位于晶圆基台上方的清洗盘，所述清洗盘适于在所述晶圆基台上方上下移动；

所述清洗盘包括朝向所述晶圆基台的第一表面，所述第一表面上均匀的分布有至少两个喷嘴和至少两个吸嘴，所述喷嘴适于朝所述晶圆基台上搁置的晶圆表面喷洒去离子水，所述吸嘴适于通过抽真空吸取所述晶圆基台上搁置的晶圆表面的液体；

所述喷嘴的数量少于吸嘴。

优选地，所述喷嘴为直管状，直径为100μm～5mm。

优选地，所述吸嘴为直管状，直径为20μm～1mm。

优选地，所述喷嘴为10个～50个，所述喷嘴在所述第一表面均匀分布。

优选地，所述吸嘴为100个～500个，所述吸嘴在所述第一表面均匀分布。

优选地，所述清洗盘的盘心处还设置有一显影液喷嘴组件。

优选地，所述显影液喷嘴组件至少包括：

喷管，所述喷管包括上喇叭口和下喇叭口，所述上喇叭口和下喇叭口的小口相对连接；

流量调节阀，所述流量调节阀包括倒锥形部和压缩件，所述压缩件与所述倒锥形部的底部相连；

压力容器，所述压力容器的上壁设置有上安装孔，所述压力容器的下壁设置有下安装孔；所述喷管设置于所述下安装孔中，所述压缩件贯穿于所述上安装孔中；

所述倒锥形部从所述上喇叭口一端伸入所述喷管中，并适于被所述压缩件推动着在所述上喇叭口中上下移动，使所述上喇叭口和所述倒锥形部之间的空间大小发生变化。

优选地，所述压缩件包括螺纹套和螺钉，所述螺纹套固定设置与所述上喇叭口上方，所述螺钉的底部与所述倒锥形部的底部相对连接，所述螺钉在所述螺纹套中旋转，以使得所述倒锥形部在所述上喇叭口中上下移动。

优选地，所述压缩件还包括密封圈，所述密封圈位于所述上安装孔上，且位于所述螺纹套上方或者下方。

优选地，所述显影装置还包括电磁驱动装置，所述电磁驱动装置适于驱动所述压缩件以推动所述倒锥形部在所述上喇叭口中上下移动，所述倒锥形部与所述所述压缩件绝缘。

优选地，所述晶圆基台为可旋转晶圆基台

如上所述，本实用新型提供的显影装置，具有以下有益效果：